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J-GLOBAL ID：202002251226234125   整理番号：20A0816479

種々の電気めっき条件での(TSV)充填故障による貫通シリコンに関する研究【JST・京大機械翻訳】

Study on Through Silicon Via (TSV) filling failures on various electroplating conditions

著者 (4件)： Hwang Gilho (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research),Singapore,138634) ,  Kalaiselvan Ravanethran (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research),Singapore,138634) ,  Sam Mohamad Iskandar Es (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research),Singapore,138634) ,  Hsiang-Yao Hsiao (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research),Singapore,138634)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： EPTC  ページ： 75-80  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の電気めっき条件におけるTSV Cu充填故障を研究した。定電流電気めっきを,5um x50umと10um x100um TSV Cu充填に用いた。異なるCu成長挙動を理解するために欠陥を持つ欠陥のないTSVとTSVの出力電圧を調べた。電気めっき中の撹拌は適用可能な電気めっき電流の範囲に影響する。撹拌による電気めっきと比較して,より高い電流は撹拌なしで10μm x100um TSVに適用でき,一方,5μm x50um TSVに対する低電流はCu充填破壊を有した。電気めっき中の電圧変化は添加物の競争吸着を明らかにした。初期電圧降下はTSV Cu充填破壊に強く関連する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電気めっき ,  *ケイ素 ,  銅 ,  *故障 ,  電圧変動 ,  電圧降下 ,  電流
準シソーラス用語： 出力電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気めっき ,  TSV ,  故障 ,  シリコン ,  研究