文献

J-GLOBAL ID：202002251471811556   整理番号：20A0763532

Al_0.62Sc_0.38N薄膜における異常配向粒の入射による圧電特性に及ぼす負バイアスの影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of negative bias on the piezoelectric properties through the incidence of abnormal oriented grains in Al_0.62Sc_0.38N thin films

著者 (9件)： Sandu C.S. (Electroceramic Thin Films Group, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL, Lausanne CH-1015, Switzerland) ,  Sandu C.S. (Department of Physics, University of Craiova, Craiova 200585, Romania) ,  Sandu C.S. (Interdisciplinary Centre for Electron Microscopy (CIME), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne CH-1015, Switzerland) ,  Parsapour F. (Electroceramic Thin Films Group, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL, Lausanne CH-1015, Switzerland) ,  Xiao D. (Electroceramic Thin Films Group, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL, Lausanne CH-1015, Switzerland) ,  Nigon R. (Electroceramic Thin Films Group, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL, Lausanne CH-1015, Switzerland) ,  Riemer L.M. (Group of ferroelectrics and functional oxides, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL, Lausanne CH-1015, Switzerland) ,  LaGrange T. (Interdisciplinary Centre for Electron Microscopy (CIME), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne CH-1015, Switzerland) ,  Muralt P. (Electroceramic Thin Films Group, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL, Lausanne CH-1015, Switzerland)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 697  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 38at%のSc含有量のスパッタ蒸着AlScN膜をX線回折と電子顕微鏡により調べ,異常配向結晶粒(AOG)の成長に及ぼすラジオ周波数(RF)バイアスの影響を調べた。走査電子顕微鏡観察は,AOGsの核形成と成長が4W(51mW/cm2)までの負のRFバイアス印加で起こるが,AOGsの完全な損失は6W(76mW/cm2)より大きいバイアスで起こることを示した。膜内のAOGsの欠如は優先(0001)組織の損失と共に生じた。高バイアスパワーでは,(0001)集合組織はPt層の強い(111)組織により核生成するが,結晶粒配向は成長中にランダムになる。より高いバイアスによる膜微細構造の変化は圧電特性の減衰に反映される。膜中にトラップされたAr原子の濃度はバイアスパワーの増加と共に増加した。膜断面に沿ったAr含有量の変化はRFバイアス不安定性に起因した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒 ,  *スカンジウム ,  電子顕微鏡 ,  スパッタ蒸着 ,  微細構造 ,  不安定性 ,  窒化アルミニウム ,  *薄膜 ,  集合組織 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線回折 ,  *バイアス ,  白金 ,  薄膜成長 ,  核形成 ,  アルゴン
準シソーラス用語： 走査電子顕微鏡法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 窒化アルミニウム ,  スカンジウム ,  薄膜 ,  RFバイアス ,  異常配向粒子

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  配向 ,  圧電特性 ,  バイアス