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J-GLOBAL ID：202002251740284205   整理番号：20A2345816

ノーマルオフAlGaNチャネル電界効果トランジスタの実証のためのInAlN/AlGaNヘテロ構造による分極工学【JST・京大機械翻訳】

Polarization engineering via InAlN/AlGaN heterostructures for demonstration of normally-off AlGaN channel field effect transistors

著者 (3件)： Li Lei (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Yamaguchi Ryohei (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Wakejima Akio (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 15  ページ： 152108-152108-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ノーマルオフAlGaNチャネルヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)を提案し,III窒化物の偏光工学展望を利用して数値的に研究した。分極整合InAlN/AlGaNヘテロ構造の利用は,Al_0.3Ga_0.7NチャネルHFETに対して閾値電圧を約1.1Vにシフトさせた。低いブレークダウン電圧のAlGaN/GaN HFEFと比較して,通常オフInAlN/AlGaN HFETは大幅に向上した絶縁破壊特性を示した。さらに,InAlN/AlGaN HFETにおける2次元電子ガス(2DEG)移動度は,合金無秩序散乱と極性光学フォノン散乱によって支配される電子移動度の計算に従って,AlGaN/GaN HFETにおけるよりも,温度上昇と共にはるかに少ない減少を示した。結果として,2DEG移動度変化およびJohnson性能指数の観点から,伝導損失考慮に基づく性能指数の温度依存性は,特に高温で動作する高出力および高周波エレクトロニクス応用における分極整合InAlN/AlGaN HFETの優れた可能性を示した。本研究は,通常オフAlGaNチャネルHFETの実証のための有用な方法を提供し,また,偏光III-窒化物ヘテロ構造から有益に利用できる将来のデバイスの設計にも有用である。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  高温 ,  散乱 ,  絶縁破壊 ,  *分極 ,  偏光 ,  *FET【トランジスタ】 ,  窒化物 ,  温度依存性 ,  電子技術 ,  二次元電子ガス ,  *ヘテロ構造 ,  閾値電圧 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： HFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  チャネル ,  電界効果トランジスタ ,  実証 ,  InAlN ,  ヘテロ構造 ,  分極 ,  工学