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J-GLOBAL ID：202002251858079652   整理番号：20A1524997

ガラス上のスピンからGeへ拡散したn型ドーパントの拡散特性【JST・京大機械翻訳】

Diffusion properties of n-type dopants diffused from spin on glass into Ge

著者 (3件)： Takaguchi Ryotaro (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo, Japan) ,  Takenaka Mitsuru (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo, Japan) ,  Takagi Shinichi (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 1  ページ： 015707-015707-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge中の3つの典型的なn型ドーパント(P,AsおよびSb)の固相拡散特性を,ガラス(SOG)膜上のスピンから拡散したドーパントの実験的深さプロファイルによって研究した。Ge中のドーパントプロファイルの数値計算を行い,実験プロファイルとの比較を通して拡散定数を抽出した。低温における拡散の実験結果はドーパント拡散に及ぼす空格子点の負電荷状態の影響を正しく調べるために重要であることを指摘した。-2の電荷状態を有する空孔は,注入誘起欠陥のないPとAsの拡散を仲介することが分かった。本研究で得られたPとAsの拡散定数は,固有拡散の場合よりも大きいが,Sbのそれは,固有拡散の場合とほとんど同じである。PとAsのより大きな拡散定数は,SOGからの拡散中のE中心によるGe表面からの空格子点の供給によって説明できる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 拡散係数 ,  *ガラス ,  数値計算 ,  低温 ,  アンチモン ,  *ゲルマニウム ,  ヒ素 ,  固体内拡散 ,  *ドーパント ,  負電荷 ,  深さプロフィル

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (5件)： ガラス ,  スピン ,  Ge ,  拡散 ,  ドーパント