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J-GLOBAL ID：202002251985361098   整理番号：20A1030322

低コストミストCVD法によるa-,c-およびr-面サファイア基板上のα-Ga_2O_3薄膜のヘテロエピタキシャル成長【JST・京大機械翻訳】

Heteroepitaxial growth of α-Ga₂O₃ thin films on a-, c- and r-plane sapphire substrates by low-cost mist-CVD method

著者 (11件)： Cheng Yaolin (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Xu Yu (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Li Zhe (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Jiaqi (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Chen Dazheng (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Feng Qian (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Xu Shengrui (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhou Hong (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Jincheng (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Hao Yue (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Chunfu (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 831  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： α-GA_2O_3は広いバンドギャップ半導体として広く注目されている。多くの報告は,基板としてc面(006)サファイアを基本的に用いるα-Ga_2O_3薄膜の不均一エピタキシャル成長を報告している。しかしながら,a-,r-面サファイアのような基板上のα-Ga_2O_3の成長に関する研究はまだ不足している。本論文では,非真空,高スケーラブルおよび低コストのミストCVD法を用いて,異なるサファイア基板(a-,c-およびr-面)上に成長させたα-Ga_2O_3膜の違いを系統的に解析した。全ての3つの試料の面内及び面外配向はそれらの基板と一致した。一連の相補的測定(XRD,XPS,AFM,TEMおよびUV-Vis)を用いて,異なる面の基板上に成長させたα-Ga_2O_3の結晶性,元素組成,表面形態,格子構造,成長速度および光学バンドギャップを特性化した。他の2つの平面基板上の試料と比較して,c面α-Ga_2O_3膜は0.204°の最小FWHM,5.29eVの理想バンドギャップ幅,1.64nmの小さなRoot-Mean-square(RMS),11.44nm/分の成長速度,および3つの試料間の完全格子構造を有することを示した。したがって,c面サファイアは,他の平面基板と比較して,高品質α-Ga_2O_3成長により適している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *薄膜 ,  半導体 ,  格子構造 ,  結晶度 ,  *サファイア ,  *薄膜成長 ,  成長速度 ,  光学ギャップ ,  バンドギャップ ,  FWHM
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *サファイア基板 ,  高品質 ,  元素組成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ワイドバンドギャップ半導体 ,  透明半導体 ,  α-Ga_2O_3薄膜 ,  ミストCVD ,  サファイア基板

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ミストCVD法 ,  サファイア基板 ,  薄膜 ,  成長