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J-GLOBAL ID:202002252183297103   整理番号:20A2232977

オレンジ発光InGaN/GaNナノカラムにおける局在キャリア再結合動力学のキャリア密度依存性【JST・京大機械翻訳】

Carrier density dependence of localized carrier recombination dynamics in orange-emitting InGaN/GaN nanocolumns
著者 (7件):
資料名:
巻: 128  号: 13  ページ: 133102-133102-10  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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オレンジ発光を有するInGaN/GaNナノカラムにおける光ルミネセンス(PL)スペクトル,PL効率および時間分解PL(TRPL)のキャリア密度依存性を,低および室温でのキャリア再結合動力学を調べるために,広い範囲のキャリア密度にわたって測定した。TRPL減衰曲線を,減衰時間の分布を得るために,延伸指数関数によって解析した。結果は,低励起強度下のオレンジ発光によるInGaNの発光起源が局在電子と正孔の再結合であり,局在励起子からはないことを示した。この解析は,局在状態の全密度がPL効率を増加させる重要な因子であることを示し,大きなインジウム変動による高密度の局在状態の赤色発光InGaNが,高いPL効率を達成する可能性を有することを示した。さらに,延伸指数関数は,異なる減衰時間を有するいくつかのキャリア緩和過程を解析する有効なアプローチであることを示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体のルミネセンス 

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