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J-GLOBAL ID：202002252484094164   整理番号：20A2241952

フィールドプレートを有するSiC基板上のGaN HEMTにおけるバイアスストレス後のドレイン電流の過渡応答

Transient response of drain current following biasing stress in GaN HEMTs on SiC substrates with a field plate

著者 (4件)： Ma Qiang (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Yoshida Tomoyo (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Ando Yuji (Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, 464-8601, Japan) ,  Wakejima Akio (Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 10  ページ： 101002 (6pp)  発行年： 2020年10月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,SiC基板上のGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のオフ状態への遷移に続くドレイン電流(I_d)の電流崩壊と過渡応答を調べた。I_d遷移後の短時間(約10^-3s)内で,長いゲート対ドレイン距離(L_gd)を有するGaN HEMTにおいて顕著な電流崩壊と遅延回復が観測された。さらに,少なくとも2つの時定数(τ₁およびτ₂)が,L_gdが4.0μm以上のHEMTに存在することが分かった。L_gdがより長くなると,電子放出に必要な活性化エネルギーは0.46から0.65eVに増加し,それは時定数(τ₂)の上昇を引き起こす。さらに,オフ状態の周期は,フィールドプレート(FP)のないGaN HEMTの時定数に影響する。オフ状態の拡張は,デトラッピングプロセスの活性化エネルギーの増加をもたらし,τ₁とτ₂は,それぞれ13から21msと150から350msに増加した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *負荷試験 ,  *電流 ,  過渡応答 ,  時定数 ,  電子放出 ,  活性化エネルギー ,  状態 ,  キャリア捕獲 ,  電荷捕獲
準シソーラス用語： フィールドプレート ,  SiC ,  GaN ,  ストレス試験 ,  *ドレイン電流 ,  オフ状態 ,  電荷トラッピング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： フィールド ,  SiC基板 ,  GaN ,  HEMT ,  バイアス ,  ストレス ,  ドレイン電流 ,  過渡応答