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J-GLOBAL ID：202002252838330077   整理番号：20A1069666

パルスDCスパッタMo薄膜の制御硫化によるMOS_2の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of MoS₂ by controlled sulfurization of pulsed DC sputtered Mo thin films

著者 (7件)： Gupta Nanhe Kumar (Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi-110016, India) ,  Barwal Vineet (Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi-110016, India) ,  Pandey Lalit (Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi-110016, India) ,  Hait Soumyarup (Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi-110016, India) ,  Mishra Vireshwar (Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi-110016, India) ,  Kumar Amar (Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi-110016, India) ,  Chaudhary Sujeet (Thin Film Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi-110016, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2220  号： 1  ページ： 090023-090023-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層(ML)二硫化モリブデン(MoS_2)は,その魅力的な電子的,光電子的および機械的性質のために,科学的コミュニティにとって非常に興味深い。低コストでの高品質で大きなサイズのML MoS_2の合成は依然として課題である。SiO_2/Si基板上に大面積高品質MoS_2シート[厚さ:1,2,3,4単分子層(ML)]を作製するために,異なる公称厚さのパルスdcスパッタMo膜の制御プラズマ支援硫化を報告した。Raman分光法による研究では,光電子工学およびスピントロニクス応用に用いられる実デバイスにとって望ましいMoS_2の単分子層の均一で大面積の形成が明らかになった。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 機械的性質 ,  プラズマ ,  *薄膜 ,  *モリブデン ,  単分子層 ,  *硫化 ,  *パルス ,  オプトエレクトロニクス ,  Raman分光法 ,  光電子 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  シリコンウエハ ,  大面積 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルス ,  DC ,  スパッタ ,  Mo ,  薄膜 ,  硫化 ,  成長