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J-GLOBAL ID：202002253295686284   整理番号：20A0905195

pチャネルハフニア系強誘電体電界効果トランジスタの実証と耐久性改善【JST・京大機械翻訳】

Demonstration and Endurance Improvement of p-channel Hafnia-based Ferroelectric Field Effect Transistors

著者 (6件)： Winkler Felix (Technische Universitaet Dresden, Institute of Semiconductors and Microsystems, IHM,Dresden,Germany) ,  Pesic Milan (Now with Applied Materials,Santa Clara,CA,USA) ,  Richter Claudia (Namlab gGmbH,Noethnitzer Str. 64, Dresden,Germany,01187) ,  Hoffmann Michael (Namlab gGmbH,Noethnitzer Str. 64, Dresden,Germany,01187) ,  Mikolajick Thomas (Namlab gGmbH,Noethnitzer Str. 64, Dresden,Germany,01187) ,  Bartha Johann W. (Technische Universitaet Dresden, Institute of Semiconductors and Microsystems, IHM,Dresden,Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： DRC  ページ： 51-52  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これまでに,CMOS互換性で拡張可能なhafニアジルコニア(HZO)ベースの強誘電体(FE)n-FeFETのみが報告されている。完全な強誘電体階層[1]を可能にするために,p型とn型の両方の素子を利用できる。ここでは,大きなメモリウィンドウ(MW)を持つp-FeFETを初めて報告する。さらに,金属-FE-絶縁体-Si(MFIS)と金属-FE-金属-絶縁体-Si(MFMIS)デバイスをもたらす内部ゲートがある場合とない場合の構造を含む異なる集積方式を提案した。これは,界面(IF)劣化の問題に取り組み,デバイスの電力消費を減少させる可能性がある。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *強誘電体 ,  互換性 ,  電力消費 ,  耐久性 ,  CMOS ,  絶縁体
準シソーラス用語： *FeFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： チャネル ,  ハフニア ,  強誘電体電界効果トランジスタ ,  実証