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J-GLOBAL ID：202002253517560407   整理番号：20A1691669

有機ドナー分子テトラチアナフタセンの吸着により修飾されたBi_2Se_3のトポロジカル表面状態【JST・京大機械翻訳】

Topological Surface State of Bi₂Se₃ Modified by Adsorption of Organic Donor Molecule Tetrathianaphthacene

著者 (14件)： Kitazawa Tatsuya (Department of Physics, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba, 278-8510, Japan) ,  Yaji Koichiro (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba, 277-8581, Japan) ,  Shimozawa Kosuke (Department of Physics, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba, 278-8510, Japan) ,  Kondo Hiroshi (Department of Physics, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba, 278-8510, Japan) ,  Yamanaka Takayoshi (Department of Physics, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba, 278-8510, Japan) ,  Yaguchi Hiroshi (Department of Physics, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba, 278-8510, Japan) ,  Ishida Yukiaki (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba, 277-8581, Japan) ,  Kuroda Kenta (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba, 277-8581, Japan) ,  Harasawa Ayumi (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba, 277-8581, Japan) ,  Iwahashi Takashi (Department of Materials Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan) ,  Ouchi Yukio (Department of Materials Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan) ,  Komori Fumio (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba, 277-8581, Japan) ,  Shin Shik (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba, 277-8581, Japan) ,  Kanai Kaname (Department of Physics, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba, 278-8510, Japan)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 7  号： 14  ページ： e2000524  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジー絶縁体(TI)は,低散逸電気輸送を有する新しいスピントロニクスデバイスを実現することが期待される。有機分子/TI界面を調べ,TIデバイスに対する多機能有機分子の可能性を調べた。しかし,界面電子構造の統一的理解はない。界面での現象を完全に理解するために,分子側の電子構造を調べる必要がある。紫外光電子放出分光法(UPS),X線光電子分光法(XPS),および角度分解光電子放出分光法(ARPES)による電子供与性有機分子テトラチアナフタセン(TTN)とプロトタイプTI Bi_2Se_3の間の界面を調べた。トポロジー表面状態のFermi面の変形と界面における2D電子ガス状態(2DEG)の形成が,Bi_2Se_3上へのTTN堆積時に起こる。表面への2DEGの閉じ込めは,XPSとUPSに従って,TTNからBi_2Se_3への電子供与を伴うバンド曲げから生じる。本研究で得られた知識は有機分子/TI界面の電子構造の理解に新しい光を当て,電子官能性有機分子による修飾によるTI応用への doorを開く。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電子放出 ,  *界面 ,  紫外線 ,  電子構造 ,  電子放出 ,  エレクトロトランスポート ,  有機化合物 ,  Fermi面 ,  二次元 ,  X線光電子分光法 ,  二次元電子ガス ,  スピントロニクス ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： ARPES ,  *トポロジカル表面状態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Bi_2Se_3 ,  電子供与有機分子 ,  界面電子構造 ,  有機/無機界面 ,  トポロジカル絶縁体

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドナー分子 ,  吸着 ,  修飾 ,  トポロジカル表面状態