文献

J-GLOBAL ID：202002254037483533   整理番号：20A2130888

反応性マグネトロンスパッタリングにより作製した鉄ドープ窒化チタン薄膜における負性磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Negative magnetoresistance in iron doped TiN thin films prepared by reactive magnetron sputtering

著者 (5件)： Maarouf Monzer (Department of Physics, King Fahd University of Petroleum and Minerals, Dhahran 31261, Saudi Arabia) ,  Haider Muhammad Baseer (Department of Physics, King Fahd University of Petroleum and Minerals, Dhahran 31261, Saudi Arabia) ,  Al-Kuhaili Mohammed Fayyad (Department of Physics, King Fahd University of Petroleum and Minerals, Dhahran 31261, Saudi Arabia) ,  Aljaafari Abdullah (Department of Physics, College of Science, King Faisal University, 31982, Saudi Arabia) ,  Khan Javed Yar (Department of Physics, College of Science, King Faisal University, 31982, Saudi Arabia)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 514  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルゴンと窒素ガスの存在下でチタンと鉄ターゲットのRF/DCマグネトロンスパッタリングにより鉄ドープ窒化チタン薄膜を作製した。膜の鉄濃度はスパッタリング銃のDC電力を調整することによって制御され,一方,チタンターゲットのRF電力はすべての膜に対して一定に保たれた。成長した膜の分光光度法は,膜中の鉄濃度の増加によるバンドギャップの減少を明らかにした。膜のX線光電子分光法は,鉄の存在とDCスパッタリングパワーの増加によるその濃度の増加を確認した。膜の表面粗さは鉄濃度の増加により僅かに増加した。すべての成長膜はn型半導体であり,キャリア濃度は鉄濃度の増加とともに増加した。非ドープまたは低ドープ窒化チタン膜では正の磁気抵抗が観察されたが,高い鉄濃度を有する膜では負の磁気抵抗が観察され,これは強磁性的に整列した磁気ポーラロンの形成によるものであった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  *磁気抵抗 ,  *薄膜 ,  アルゴン ,  *チタン ,  *鉄 ,  *窒化 ,  *ドーピング ,  N型半導体 ,  キャリア密度 ,  X線光電子分光法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *窒化チタン ,  *反応性マグネトロンスパッタリング ,  DCマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 半導体 ,  窒化チタン ,  マグネトロンスパッタリング ,  薄膜 ,  磁気抵抗 ,  XPS

分類 (4件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 反応性マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  鉄 ,  ドープ ,  窒化 ,  チタン薄膜 ,  負性磁気抵抗