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J-GLOBAL ID：202002254119714315   整理番号：20A0143582

ケイ酸鉛ガラスマイクロチャネルプレートの電気的性質に及ぼす原子層堆積酸化アルミニウム膜の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of atomic layer deposited aluminium oxide films on electrical properties of lead silicate glass microchannel plate

著者 (10件)： Cai Hua (Key Lab. of China Building Materials Industry for Special Photoelectric Materials (China)) ,  Jia Jinsheng (China Building Materials Academy (China)) ,  Liu Hui (Key Lab. of China Building Materials Industry for Special Photoelectric Materials (China)) ,  Sun Yong (China Building Materials Academy (China)) ,  Zhang Xian (China Building Materials Academy (China)) ,  Zhang Lei (China Building Materials Academy (China)) ,  Li Qing (China Building Materials Academy (China)) ,  Bo Tiezhu (China Building Materials Academy (China)) ,  Zhou Dongzhan (China Building Materials Academy (China)) ,  Lian Jiao (China Building Materials Academy (China))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11334  ページ： 113340L-7  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロチャネルプレート(MCP)は重要な信号乗算器である。元の還元されたケイ酸鉛ガラスMCPを,原子層堆積(ALD)により非晶質アルミナで被覆し,トリメチルアルミニウムAl(CH_3)_3(TMA)と水を前駆体として用い,電子利得特性を強化した。異なる堆積温度,サイクルおよびアニーリング処理におけるALD-MCPの電気的性質を調べた。結果は,電子利得が,TMA/H_2Oの60蒸着パルスサイクルで120°Cから300°Cに制御されたALD堆積温度において,Bigausion電子利得堆積温度挙動を示したが,そのバルク抵抗は基本的に変化しないことを示した。さらに,最適堆積サイクルは,堆積温度の上昇と共に最大電子利得で増加した。さらに,ALD-MCPの改質効果は処理パラメータにより著しく影響され,その電気的性質は不適切なものでさえも悪化した。電子利得と暗電流は主にマイクロチャネル層の表面上のヒドロキシルの濃度に関連していた。400°Cでの過剰アニーリング温度により,ALD-MCPの電子利得はほぼ2×10~4であったが,暗電流は劇的に増加し,元の水素のそれよりも4倍以上も大きかった。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *鉛ガラス ,  *酸化 ,  アルミナ ,  *マイクロチャネル ,  前駆体 ,  *マイクロチャネルプレート ,  利得 ,  非晶質 ,  焼なまし ,  水素 ,  暗電流 ,  乗算器 ,  蒸着 ,  *電気的性質 ,  *ケイ酸

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ケイ酸 ,  鉛ガラス ,  マイクロチャネルプレート ,  電気的性質 ,  原子層堆積 ,  酸化 ,  アルミニウム膜