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J-GLOBAL ID：202002254136920793   整理番号：20A2258225

金属/強誘電体/中間層/Siゲートスタックを有する強誘電体FETの脱分極場に及ぼす強誘電体/中間層界面における電荷の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Charges at Ferroelectric/Interlayer Interface on Depolarization Field of Ferroelectric FET With Metal/Ferroelectric/Interlayer/Si Gate-Stack

著者 (12件)： Wang Xiaolei (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Sun Xiaoqing (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhang Yuanyuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhou Lixing (Faculty of Information Technology, School of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Xiang Jinjuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Ma Xueli (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Yang Hong (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Li Yongliang (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Han Kai (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Weifang University, Weifang, China) ,  Luo Jun (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhao Chao (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Wenwu (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 10  ページ： 4500-4506  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属/強誘電体/中間層/Siゲート構造の強誘電性FET(FeFET)の脱分極場に及ぼす強誘電体/層間界面での電荷の影響を理論的に調べた。界面電荷は固定電荷とトラップ/脱トラップ電荷を含む。正または負の界面電荷(~1013cm-2)は,脱分極場の方向と強誘電性における対応する分極を整列できることを見出した。本論文は,FeFETのデバイス設計への洞察を提供する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *強誘電体 ,  強誘電性 ,  *脱分極
準シソーラス用語： 固定電荷 ,  *ゲートスタック ,  中間層 ,  *FeFET ,  捕獲電荷 ,  デバイス設計 ,  界面電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 強誘電体 ,  中間層 ,  Si ,  ゲートスタック ,  強誘電体FET ,  脱分極 ,  界面 ,  電荷