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J-GLOBAL ID：202002254162490306   整理番号：20A0014463

太陽電池応用のためのパルスレーザ蒸着によるポリ結晶BaSi_2薄膜の形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of poly-crystalline BaSi₂ thin films by pulsed laser deposition for solar cell applications

著者 (7件)： Du Rui (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China) ,  Yang Kaiwen (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China) ,  Gao Xudan (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China) ,  Shi Wangzhou (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China) ,  Du Weijie (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China) ,  Zhang Yiwen (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China) ,  Suemasu Takashi (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 260  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明SiO_2とCaF_2基板上にパルスレーザ蒸着(PLD)を用いたBaSi_2薄膜の新しい成長法を開発した。X線回折とRaman分光法により,蒸着膜の多結晶性を明らかにした。SiO_2基板上に薄いSiバッファ層を導入することにより,BaSi_2薄膜の結晶品質を改善した。基底_2薄膜は0.5に非常に近いBa/Si比を示し,PLD成長の良好な化学量論制御を示した。ポリBaSi_2薄膜の吸収係数は10~5cm-1に達し,そのバンドギャップは1.32eVと推定され,これは分子線エピタクシーまたはスパッタリングにより成長させたものと類似していた。12.5mA/Wの最大光応答性がBaSi_2薄膜で達成され,薄膜太陽電池応用のためのPLD蒸着BaSi_2の可能性を意味した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  吸収係数 ,  多結晶 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  X線回折 ,  バンドギャップ ,  *ケイ素 ,  *蒸着 ,  *バリウム ,  Raman分光法 ,  MBE成長 ,  バッファ層 ,  *薄膜 ,  化学量論 ,  蒸着膜 ,  *太陽電池

著者キーワード (4件)： BaSi_2 ,  太陽エネルギー材料 ,  薄膜 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽電池 ,  応用 ,  パルスレーザ蒸着 ,  結晶 ,  薄膜