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J-GLOBAL ID：202002254272403273   整理番号：20A0597985

体積補償Ga空格子点によって引き起こされたEuドープGaNにおける高Curie温度【JST・京大機械翻訳】

High Curie temperature in Eu-doped GaN caused by volume-compensated Ga-vacancy

著者 (5件)： Masago Akira (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Shinya Hikari (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Fukushima Tetsuya (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Sato Kazunori (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Katayama-Yoshida Hiroshi (Center for Spintronics Research Network, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 2  ページ： 025216-025216-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究は,EuドープGaNで実験的に観測された室温強磁性が,Ga空格子点がEuイオン(すなわち体積補償)の導入の結果として現れるという仮定で生じるN2p状態の正孔(すなわちZenerの二重交換相互作用)により誘起されることを示した。計算したCurie温度(T_C)はGa空孔濃度のある範囲で急激に増加し,Euイオン濃度の増加と共に徐々に増加した。室温より上の高いT_Cは,部分的に占有されたN2p正孔状態におけるZenerの二重交換機構によって支配される。それは,全体の結晶を通して,そして,低いT_Cは,Eu 4fとN 2pハイブリッド形成におけるZenerのp-f交換機構によって支配される。Dharら[Phys.Rev.Lett.94,037205(2005)]によって報告されたGdドープGaNにおけるGd原子当たり4000μ_Bの驚くべき実験データを合理的に説明できる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ガリウム ,  正孔 ,  *ユウロピウム ,  イオン濃度 ,  *窒化ガリウム ,  *ドーピング ,  ガドリニウム ,  *Curie温度
準シソーラス用語： 二重交換相互作用 ,  室温強磁性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 体積 ,  補償 ,  Ga ,  空格子点 ,  Eu ,  ドープ ,  GaN ,  Curie温度