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J-GLOBAL ID：202002254593231360   整理番号：20A2763584

経験的擬ポテンシャルによるヘテロ接合Electronデバイスのフルバンド量子輸送【JST・京大機械翻訳】

Full-Band Quantum Transport of Heterojunction Electron Devices With Empirical Pseudopotentials

著者 (3件)： M’foukh Adel (Universite Paris-Saclay, CNRS, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Palaiseau, France) ,  Pala Marco G. (Universite Paris-Saclay, CNRS, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Palaiseau, France) ,  Esseni David (DPIA, University of Udine, Udine, Italy)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 12  ページ： 5662-5668  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,非平衡Green関数形式と経験的擬ポテンシャルに基づくフルバンド量子輸送モデルの方法論,実装,および応用を提示した。特に,本論文では,仮想結晶近似に従って記述した漸次遷移領域から成る格子整合半導体間のヘテロ接合の処理について報告する。この手法は,フルバンド量子輸送法を計算的に手頃にし,ロバストで効率的な自己無撞着デバイスシミュレーションを可能にするいくつかの数値技術を必要とする。次に,著者らは,Esakiトンネルダイオード,およびn-およびp-型ヘテロ接合トンネルFETのような量子トンネリングに基づくいくつかの模範的デバイスの解析のために,著者らのシミュレーション方式を採用した。特に,ヘテロ接合遷移領域の幅の電流作動電圧特性に及ぼす影響を調べた。段階的遷移領域は主にヘテロ接合でのトンネル経路を長くすることによってデバイス特性に影響し,外部バイアス条件に依存してデバイス電流に異なる影響を与えることを観測した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  シミュレーション ,  電流 ,  トンネルダイオード ,  半導体 ,  計算機シミュレーション ,  バイアス ,  ロバスト性 ,  格子整合
準シソーラス用語： 量子トンネル効果 ,  *量子輸送 ,  デバイスシミュレーション ,  デバイス特性 ,  *擬ポテンシャル ,  非平衡Green関数 ,  トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 経験 ,  擬ポテンシャル ,  ヘテロ接合 ,  量子輸送