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J-GLOBAL ID：202002254782010099   整理番号：20A0859375

ゲート漏れ電流を考慮した短絡過渡現象におけるSiC MOSFET挙動のモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling of SiC MOSFET Behavior in Short-circuit Transient Considering Gate Leakage Current

著者 (5件)： Liu Jingcun (Xi’an Jiaotong University,State Key Lab of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an 710049,China) ,  Zhang Guogang (Xi’an Jiaotong University,State Key Lab of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an 710049,China) ,  Wang Bixuan (Xi’an Jiaotong University,State Key Lab of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an 710049,China) ,  Li Wanping (Xi’an Jiaotong University,State Key Lab of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an 710049,China) ,  Wang Jianhua (Xi’an Jiaotong University,State Key Lab of Electrical Insulation and Power Equipment,Xi’an 710049,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： COMPUMAG  ページ： 1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC MOSFET短絡挙動の再現において,残留する一つの主要な問題は,適切なゲート電流モデルの不在であり,試験ではデバイス温度に強く依存する。本論文では,熱電子放出効果としての可能な機構を議論し,その起源を決定した。格子自己加熱効果と結合した古典的半導体ドリフト拡散フレームワークに熱電子電流を導入することにより,動的ゲート漏れ電流の発展をシミュレーションに反映できる。結果はまた,ホットスポット位置を明らかにすることにより,可能な故障物理に光を当て,2つの不整合セル間の実際的な関心を明らかにした。本質的に,このモデリング法は,SiC MOSFETの他の類似の高温動作にも適用できる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 過渡現象 ,  不整合 ,  半導体 ,  熱電子放出 ,  *ホットスポット
準シソーラス用語： ドリフト拡散 ,  自己加熱 ,  *ゲート漏れ電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート漏れ電流 ,  短絡 ,  過渡現象 ,  SiC ,  MOSFET ,  挙動 ,  モデリング