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J-GLOBAL ID：202002254939043168   整理番号：20A2134580

変成InGaAs光検出器構造の歪緩和に及ぼすバッファドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of buffer doping on the strain relaxation of metamorphic InGaAs photodetector structures

著者 (24件)： Gu Yi (State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Gu Yi (Key Laboratory of Terahertz Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Gu Yi (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Gu Yi (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Huang Weiguo (Key Laboratory of Terahertz Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Huang Weiguo (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Liu Yage (State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Liu Yage (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Liu Yage (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Ma Yingjie (State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Ma Yingjie (Key Laboratory of Terahertz Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Ma Yingjie (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Zhang Jian (Key Laboratory of Terahertz Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Zhang Jian (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Gong Qian (Key Laboratory of Terahertz Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Zhang Yonggang (State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Zhang Yonggang (Key Laboratory of Terahertz Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Zhang Yonggang (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Shao Xiumei (State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Shao Xiumei (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Li Xue (State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Li Xue (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Gong Haimei (State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Gong Haimei (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 120  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siドープ,Beドープおよび非ドープIn_xAl_1-xAs傾斜バッファ上の変成In_0.83Ga_0.17As光検出器構造の歪緩和挙動を調べた。交差孵化期間と表面粗さは,バッファ層へのドーピングによって増加した。X線回折逆空間マッピング測定はSiとBeのドーピングが[1-10]と[110]方向に沿ってそれぞれ不整合転位密度の増加を誘起することを明らかにした。In_0.83Ga_0.17As光検出器構造の光ルミネセンス強度はIn_xAl_1-xAsバッファのドーピングにより劣化した。作製した光検出器チップの暗電流を特性化し,非ドープInAlAsバッファ上のIn_0.83Ga_0.17As光検出器は最低の暗電流を示した。Siドーピングは,成長粗さの増大により,Beドーピングよりも光ルミネセンスと暗電流性能に有害な影響を示した。これらの結果は,バッファ層のドーピングが,変成オプトエレクトロニックデバイスの設計と製作に重要であることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *光検出器 ,  光ルミネセンス ,  *変成作用 ,  ケイ素 ,  ベリリウム ,  X線回折分析 ,  *ドーピング ,  暗電流 ,  孵化 ,  MBE成長 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  バッファ層
準シソーラス用語： *歪緩和 ,  ヒ化インジウムアルミニウム ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： InGaAs光検出器 ,  ドーピング ,  歪緩和 ,  メタモルフィック ,  分子ビームエピタクシー ,  暗電流

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 変成 ,  InGaAs ,  光検出器 ,  歪緩和 ,  バッファ ,  ドーピング