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J-GLOBAL ID：202002254947295514   整理番号：20A2614919

真空蒸着安定化a-Se光伝導膜の正孔寿命に及ぼす高線量X線照射の影響:X線検出器に用いられるa-Seの品質管理への含意【JST・京大機械翻訳】

Effects of High-Dose X-Ray Irradiation on the Hole Lifetime in Vacuum-Deposited Stabilized a-Se Photoconductive Films: Implications to the Quality Control of a-Se Used in X-Ray Detectors

著者 (3件)： Simonson B. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, SK, Canada) ,  Johanson R. E. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, SK, Canada) ,  Kasap S. O. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, SK, Canada)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 67  号： 11  ページ： 2445-2453  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 安定化非晶質セレン(a-Se)ベースのディジタルフラットパネルX線イメージング検出器は,現代のマンモグラフィで広く使用されている。高電場下の高線量X線照射に対するa-Seにおける正孔寿命τ_hの依存性を調べた。試料に及ぼすX線誘起効果を,従来の飛行時間(TOF)および中断場飛行時間(IFTOF)法を用いて研究した。試料を高電場(5≦10V/μm)下で配置し,X線照射に曝露し,その後,TOFおよびIFTOF測定を行ってX線曝露後の正孔ドリフト移動度および寿命を見出した。正孔ドリフト移動度に変化は見られなかったが,正孔寿命の大きな低下があった。正孔寿命の減少は,全または累積線量と印加磁場のみに依存した。0.12≦λ≦2.5Gy/sの範囲で,またはX線光子エネルギーに対して,線量速度に依存性はなく,50≦λ>90keVp(平均光子エネルギー31.9λ≦44.7keVに相当する)の範囲で,X線光子エネルギーに依存した。これらの知見の意味は,電荷収集効率(CCE)の計算を通して見ることができる。結果は,検出器が曝露中の印加磁場下にあるとき,a-Se X線検出器に及ぼすX線照射の影響は相当であるが,動作場が高い場合(高いCCEに相当する)とa-Seは高品質電子グレード材料であることを示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *X線照射 ,  *光伝導 ,  *真空蒸着 ,  *正孔 ,  ドリフト移動度 ,  *品質管理 ,  *放射線量 ,  検出器 ,  X線画像 ,  乳房撮影 ,  含意 ,  *X線検出器
準シソーラス用語： 高品質 ,  非晶質セレン ,  光子エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (11件)： 真空蒸着 ,  安定化 ,  Se ,  光伝導 ,  正孔 ,  寿命 ,  線量 ,  X線照射 ,  X線検出器 ,  品質管理 ,  含意