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J-GLOBAL ID：202002255150261585   整理番号：20A2619833

多重線形回帰と多項式フィッティングに基づくSiC JBSのための磁場制限リング間隔パラメータ法【JST・京大機械翻訳】

Method of field limiting rings spacing parameter for SiC JBS based on multiple linear regression and polynomial fitting

著者 (6件)： Tang Maosen (Southwest Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Chengdu,China) ,  Jun Shen (Southwest Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Chengdu,China) ,  Zhou Zhengdong (Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co., LTD,SiC Chip Product Development Dept.,Zhuzhou,China) ,  Ge Xinglai (Southwest Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Chengdu,China) ,  Liu Dong (Southwest Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Chengdu,China) ,  Zhou Rongbin (Southwest Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Chengdu,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICIEA  ページ： 1859-1863  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワー半導体デバイス設計者は,デバイスシミュレーションのためにSilvacoを使用することが多い。現在,デバイスフィールド制限リング(FLRs)端末を設計するとき,期待される結果を得るために,関連パラメータを徐々に調整する必要があり,それは多くの時間を費やす。本問題を解明するために,本論文は,用例としてSiC JBSを取り上げて,シミュレーションのためのJBS分野制限リング構造の基本的パラメータを,式誘導とシミュレーション解析によって決定した。場制限リングSの初期間隔sと,独立変数としての磁場制限リング間隔kの変化ステップを採った。シミュレーションデータを試験グループと検証グループにランダムに分割して,試験グループデータを訓練のために多項式フィッティングと多重線形回帰結合モデルに導入して,次に検証グループのデータを診断した。結果は,モデルには,非常に優れた予測精度があり,それは,Silvacoにおけるシミュレーションの間,フィールドリミッティングリングの構造パラメータを迅速に得るための設計者のための大きな参照を提供して,それは多くのシミュレーション時間を節約することを示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁場 ,  シミュレーション ,  *多項式 ,  電力トランジスタ ,  *炭化ケイ素 ,  端末装置 ,  環状構造 ,  構造パラメータ ,  結合モデル
準シソーラス用語： 独立変数 ,  予測精度 ,  デバイスシミュレーション ,  *多重線形回帰 ,  デバイス設計 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多重線形回帰 ,  多項式 ,  フィッティング ,  SiC ,  磁場 ,  制限 ,  パラメータ