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J-GLOBAL ID：202002255218409930   整理番号：20A2556298

シリコン上の選択成長ゲルマニウムを用いた背面照明CMOSイメージセンサピクセルにおける近赤外入射下の位相検出自動焦点の技術【JST・京大機械翻訳】

A technique for phase-detection auto focus under near-infrared-ray incidence in a back-side illuminated CMOS image sensor pixel with selectively grown germanium on silicon

著者 (6件)： Kunikiyo Tatsuya (Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi,Hitachinaka,Ibaraki,Japan,312-8504) ,  Sato Hidenori (Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi,Hitachinaka,Ibaraki,Japan,312-8504) ,  Kamino Takeshi (Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi,Hitachinaka,Ibaraki,Japan,312-8504) ,  Iizuka Koji (Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi,Hitachinaka,Ibaraki,Japan,312-8504) ,  Sonoda Ken’ichiro (Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi,Hitachinaka,Ibaraki,Japan,312-8504) ,  Yamashita Tomohiro (Renesas Electronics Corporation, 751 Horiguchi,Hitachinaka,Ibaraki,Japan,312-8504)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： SISPAD  ページ： 137-140  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶シリコン(c-Si)の光受信表面(LRS)上に局所的に配置されたGe-on-Si層と深いトレンチ分離(DTI)を用いて,入射850nm平面波の新しい位相検出自動焦点(PDAF)技術を実証した。瞳孔分割のための金属光遮蔽膜(LSF)は形成されなかった。PDAFに対する本研究の重要な概念は,入射角に従って,画素中の局所的に配列したGeon-Si層によって瞳分割を行うことである。この画素は背面照明CMOS画像センサ画素に基づいている。画素ピッチは1.85μmであり,c-Siの厚みは約3μmであった。3次元有限差分時間領域(3D-FDTD)法に基づくシミュレーションは,この画素の外部量子効率(EQE)が,選択的に配列したGe-on-Si層により,-30°から+30°の入射角に対して,最大76.0%の44.3%を超えることを示した。それは,半金属遮蔽開口を有する現在の最先端のピクセルと比較して,通常の入射でEQEの3.6倍の改善を示す。EQEは,それぞれ49.2%と13.8%であった。この技術は低照明条件下でAFの精度を高めることができる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 照明 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  照明条件 ,  受信 ,  平面波 ,  *画素 ,  *近赤外線 ,  *位相 ,  半金属 ,  三次元 ,  *選択成長
準シソーラス用語： *CMOSイメージセンサ ,  外部量子効率 ,  時間領域 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (10件)： シリコン ,  選択成長 ,  ゲルマニウム ,  背面 ,  照明 ,  CMOSイメージセンサ ,  ピクセル ,  近赤外 ,  位相 ,  自動焦点