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J-GLOBAL ID：202002255654376776   整理番号：20A0300086

高パルス繰返し速度ArFエキシマレーザ放射によるレーザ誘起損傷しきい値【JST・京大機械翻訳】

Laser-induced damage threshold by high pulse repetition rate ArF excimer laser radiation

著者 (6件)： Kumazaki Takahito (Gigaphoton Inc. (Japan)) ,  Tei Daisuke (Gigaphoton Inc. (Japan)) ,  Hattori Masakazu (Gigaphoton Inc. (Japan)) ,  Fujimaki Yousuke (Gigaphoton Inc. (Japan)) ,  Fujimoto Junichi (Gigaphoton Inc. (Japan)) ,  Mizoguchi Hakaru (Gigaphoton Inc. (Japan))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11173  ページ： 1117307-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体産業では,マイクロチップの製造に光投影リソグラフィーが用いられている。このプロセスでは,紫外線照射をシリコンウエハへのフォトレジストの曝露に用いた。回折限界によりチップサイズを縮小するためには,短波長の光源が必要である。パルスエキシマレーザは,水銀ランプの代わりに1990年代中頃から使用されてきた。最初のKrFレーザ(248nm)を採用し,ArFレーザ(193nm)を用いて,より厳しいエッジ素子の要求を満足させた。現在,リソグラフィーツールのための約5000のエキシマレーザが,安定で,その利用可能性が99.8%までの世界の広い半導体ファブで運用されている。最新のArFエキシマレーザは,6kHzの繰返し速度で15mJから20mJのエネルギーをパルス化でき,その典型的なモジュール寿命は,いくつかのドースBillionパルスである。モジュールの寿命は,ダウンタイムを短縮するために拡張することが期待される。また,精密なマイクロマシニング応用のために,ArFハイブリッドレーザを,シードレーザとして全固体DUV光源,増幅器としてエキシマレーザを開発した。このレーザのパルス幅は典型的にサブナノ秒であり,その高いピークパワーはレーザ光学に対するもう一つの関心事である。一般的に,光学素子の寿命は100BPLSに達するように成長しており,その評価は典型的に数年の非常に長い時間を要する。総合的耐久性評価は加速要素試験[1]を作成することによってより効率的になる。代替として,高フルエンスによる加速寿命試験は,寿命要求を満たすために光学をスクリーンし,選択するための有用な手法である。光表面のレーザ誘起損傷しきい値を決定するための加速試験システムを開発した。本論文では,20nsのパルス幅を有するフィールド認可光学のテストシステムといくつかの結果を説明した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光源 ,  リソグラフィー ,  マイクロマシニング ,  光学素子 ,  フォトレジスト ,  パルス幅 ,  半導体 ,  増幅器 ,  パルス化 ,  フルエンス ,  紫外線照射 ,  *レーザ ,  レーザビーム ,  *パルス ,  *エキシマレーザ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  気体レーザ  (BD04040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス ,  繰返し速度 ,  ArFエキシマレーザ ,  放射 ,  レーザ誘起損傷 ,  しきい値