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J-GLOBAL ID：202002255803699831   整理番号：20A0433229

3C-SiC-on-Si Schottky障壁ダイオードにおける障壁高さ挙動に関する欠陥に基づくモデル【JST・京大機械翻訳】

A Defects-Based Model on the Barrier Height Behavior in 3C-SiC-on-Si Schottky Barrier Diodes

著者 (7件)： Arvanitopoulos Anastasios E. (Institute for Future Transport and Cities, Coventry University, Coventry, U.K.) ,  Antoniou Marina (School of Engineering, Universityof Warwick, Coventry, U.K.) ,  Jennings Mike R. (College of Engineering, Swansea University, Swansea, U.K.) ,  Perkins Samuel (Institute for Future Transport and Cities, Coventry University, Coventry, U.K.) ,  Gyftakis Konstantinos N. (School of Engineering, The University of Edinburgh, Edinburg, U.K.) ,  Mawby Philip (School of Engineering, Universityof Warwick, Coventry, U.K.) ,  Lophitis Neophytos (Institute for Future Transport and Cities, Coventry University, Coventry, U.K.)
資料名： IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics  (IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics)
巻： 8  号： 1  ページ： 54-65  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2402A  ISSN： 2168-6777  CODEN： IJESN2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)基板(3C-SiC-on-Si)上の3C-炭化ケイ素(3C-SiC)Schottky障壁ダイオード(SBD)は,3C-SiCの優れた電気的性質にもかかわらず,過剰なサブ閾値電流を被ることが分かった。言い換えると,この技術の商業化を妨げる要因の一つである。これらのデバイスにおける順方向電流-電圧(I-V)特性は材料品質に関するかなりの情報をもたらす。この文脈において,物理的キャリア輸送機構,トラップの影響,およびそれらの特性を実際のデバイス性能に及ぼす光を明らかにするために,作製され,特性化された白金/3C-SiC-オン-Si SBDから得られた測定により,先進技術計算機支援設計(TCAD)モデルを提案し,検証した。このモデルは,Schottky接触とSiとの3C-SiCのヘテロ界面の両方から生じる欠陥を含み,サブ閾値電流の倍率に及ぼすそれらの影響の研究を可能にした。さらに,シミュレーション結果と測定データは,界面状態の付加的分布の同定を可能にし,その効果はBarrier高さ値の観測された不均一性に関連している。このようにして調べた3C-SiC-on-Siパワーダイオードのキャリア輸送機構に影響する欠陥の包括的特性化を達成し,提案したTCADモデルは順方向および逆方向バイアス条件の両方でデバイス電流を正確に予測できた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 商業化 ,  表面準位 ,  不均一性 ,  電気的性質 ,  *ダイオード ,  電流 ,  バイアス ,  *炭化ケイ素 ,  キャラクタリゼーション ,  電圧 ,  品質 ,  *ケイ素 ,  シミュレーション ,  CAD【計算機】
準シソーラス用語： TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 3C-SiC ,  Si ,  Schottky障壁ダイオード ,  障壁高さ ,  挙動 ,  欠陥 ,  モデル