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文献
J-GLOBAL ID:202002256074755132   整理番号:20A2237017

コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製

Fabrication of recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs utilizing contactless photoelectrochemical (CL-PEC) etching
著者 (9件):
資料名:
巻: 67th  ページ: ROMBUNNO.12p-B401-5  発行年: 2020年02月28日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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1.はじめに:AlGaN/GaN HEMTへのリセスゲート構造の適用は、閾値電圧の制御の観点から期待されている。これまでに我々は、光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセス加工プロセスが、素子の伝達特性の向上と閾値電圧の制御に有望であるこ...【本文一部表示】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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トランジスタ  ,  固体デバイス製造技術一般 

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