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J-GLOBAL ID：202002256074755132   整理番号：20A2237017

コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製

Fabrication of recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs utilizing contactless photoelectrochemical (CL-PEC) etching

著者 (9件)： 渡久地政周 (北大 量集セ) ,  三輪和希 (北大 量集セ) ,  堀切文正 (サイオクス) ,  福原昇 (サイオクス) ,  成田好伸 (サイオクス) ,  市川磨 (サイオクス) ,  磯野僚多 (サイオクス) ,  田中丈士 (サイオクス) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.12p-B401-5  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに:AlGaN/GaN HEMTへのリセスゲート構造の適用は、閾値電圧の制御の観点から期待されている。これまでに我々は、光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセス加工プロセスが、素子の伝達特性の向上と閾値電圧の制御に有望であるこ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *エッチング ,  界面 ,  薄膜 ,  *HEMT ,  RIE【エッチング】 ,  フォトリソグラフィー ,  原子間力顕微鏡 ,  スピンコーティング ,  ウェットエッチング ,  表面形態 ,  閾値電圧 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  伝達特性 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： デバイス特性 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： コンタクト ,  レス ,  光電気化学エッチング ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  作製