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J-GLOBAL ID：202002256203722716   整理番号：20A1019725

単層グラフェンにおける低エネルギーElectron非弾性平均自由行程の測定【JST・京大機械翻訳】

Measurement of the Low-Energy Electron Inelastic Mean Free Path in Monolayer Graphene

著者 (14件)： Da Bo (Research and Services Division of Materials Data and Integrated System, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Da Bo (Research Center for Advanced Measurement and Characterization, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Sun Yang (Department of Applied Physics and Applied Mathematics, Columbia University, New York, New York 10027, USA) ,  Hou Zhufeng (Research and Services Division of Materials Data and Integrated System, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Liu Jiangwei (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Cuong Nguyen Thanh (International Center for Young Scientists (ICYS), National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Cuong Nguyen Thanh (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Tsukagoshi Kazuhito (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Yoshikawa Hideki (Research and Services Division of Materials Data and Integrated System, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Yoshikawa Hideki (Research Center for Advanced Measurement and Characterization, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Tanuma Shigeo (Research Center for Advanced Measurement and Characterization, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Hu Jin (Department of Physics and Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  Gao Zhaoshun (Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, People’s Republic of China) ,  Ding Zejun (Department of Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Auhui 230026, People’s Republic of China)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 13  号： 4  ページ： 044055  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の二点比較法による基板支持ナノ材料の電子輸送特性の測定は,50eV以下の電子エネルギーでは困難であり,そこでは,強い二次電子背景に対してコア準位信号を検出できない。ここでは,基板信号の影響を排除しながら,基板支持標的ナノ材料の低エネルギー電子輸送特性を研究するために,データ駆動スペクトル解析技術を用いた。この方法を適用して,有効減衰長と非弾性平均自由行程(IMFP)の電子輸送特性を,6~600eVの全測定エネルギー範囲にわたって非常に高い効率で決定できた。さらに,これらの結果は,他の実験的および理論的結果と優れた一致を示した。単層グラフェンとバルクグラファイトIMFPの間に著しい差が観察され,これは材料の電子輸送特性におけるナノメータ効果の重要性を示している。さらに,この技術は,多結晶金基板上に転写できる超薄材料に容易に適用できる。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *平均自由行程 ,  スペクトル解析 ,  多結晶 ,  *非弾性 ,  内殻準位 ,  ナノ材料
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  *低エネルギー ,  電子エネルギー ,  二次電子 ,  *単層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  電子・陽電子との相互作用一般  (BK16051U) ,  電子分光法  (BK01050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層グラフェン ,  低エネルギー ,  非弾性 ,  平均自由行程