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J-GLOBAL ID：202002256215479897   整理番号：20A1555183

マイクロエレクトロメカニカルシステム/ナノ電気機械システム応用のための原子層蒸着により蒸着したアルミニウムドープ酸化亜鉛薄膜のピエゾ抵抗特性【JST・京大機械翻訳】

Piezoresistive property of an aluminum-doped zinc oxide thin film deposited via atomic-layer deposition for microelectromechanical system/nanoelectromenchanical system applications

著者 (3件)： Inomata Naoki (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-01, Aramaki-aza-Aoba, Aoba, Sendai, 980-8579, Japan) ,  Van Toan Nguyen (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-01, Aramaki-aza-Aoba, Aoba, Sendai, 980-8579, Japan) ,  Ono Takahito (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-01, Aramaki-aza-Aoba, Aoba, Sendai, 980-8579, Japan)
資料名： IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering  (IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering)
巻： 12 Suppl S2  ページ： S120-S124  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1854A  ISSN： 1931-4973  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウム(Al)ドープ酸化亜鉛(AZO)薄膜(厚さ=20nm)のピエゾ抵抗特性を微細加工シリコンカンチレバー構造を用いて評価した。AZO薄膜を5%Alドーピングによる原子層堆積により堆積した。AZOピエゾ抵抗器をカンチレバーの根でパターン化した。このカンチレバーデバイスを,リソグラフィー,リフトオフ,イオンミリング,およびドライ/ウェットエッチングなどの従来の微細加工技術を用いて作製した。カンチレバーはマイクロマニピュレータに取り付けた針によってカンチレバーの先端を押すことによって偏向する。作製したデバイスの寸法と材料に基づく有限要素法を用いて,たわみに起因するAZOパターンの歪を数値的に計算した。AZOの出力電流は入力電圧の増加と共にほぼ線形に変化した。AZO薄膜ピエゾ抵抗器のゲージ係数は8.5であった。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  有限要素法 ,  たわみ ,  片持梁 ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  リソグラフィー ,  ゲージ ,  微細加工 ,  イオンエッチング ,  パターン形成 ,  *MEMS ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： *圧電抵抗 ,  リフトオフ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸化亜鉛 ,  ピエゾ抵抗 ,  微小電気機械システム/ナノ電気機械システム ,  原子層蒸着

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： マイクロエレクトロメカニカルシステム ,  電気機械 ,  応用 ,  原子層蒸着 ,  蒸着 ,  アルミニウム ,  ドープ ,  酸化亜鉛薄膜 ,  ピエゾ抵抗