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J-GLOBAL ID：202002256330197732   整理番号：20A2246085

SBDシステムにおけるpおよびn型半導体障壁の実験的周波数解析【JST・京大機械翻訳】

Experimental frequency analysis of p and n-type semiconductor barriers in SBD system

著者 (2件)： Solmaz Ramazan (Institute of Science, University of Siirt, Siirt, Turkey) ,  Hansu Fevzi (Department of Electrical & Electronics Engineering, University of Siirt, Siirt, Turkey)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 181  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可変強電場媒体における半導体材料の挙動,放電の形成および発達に及ぼす半導体障壁の影響,半導体材料の障壁効果および半導体障壁放電(SBD)システムの周波数応答を解析するために,実験的研究を行った。真空,空気および窒素媒体において,ランダムに選択した周波数値を用いて,応用を行った。第一段階の結果から,電流振動に及ぼす半導体層の障壁効果は真空媒体において非常に顕著であることが分かった。印加電圧の周波数が増加するにつれ,半導体層の障壁効果が低減することが分かった。そのうえ,周波数値が増加するにつれて,放電電流を,より線形を得るために決定した。第二段階では,AC電圧で操作したSBDは帯域阻止フィルタの構造を特徴付けることを示した。SBDシステムに適用される電圧の周波数と反応器の設計は,放電電流が抑制された周波数を決定する。半導体へのSBD効果の新しい特徴を知ることは,半導体生産産業の設計に重要な寄与を与える。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 周波数応答 ,  電圧 ,  *半導体 ,  放電 ,  窒素 ,  半導体材料 ,  反応器 ,  媒質 ,  *N型半導体 ,  *周波数解析 ,  交流電圧 ,  無声放電
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  放電電流 ,  高電場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 障壁放電 ,  周波数解析 ,  半導体層 ,  半導体生産

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (5件)： SBD ,  N型半導体 ,  障壁 ,  実験 ,  周波数解析