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J-GLOBAL ID：202002256636259551   整理番号：20A1923882

高効率シリコンヘテロ接合太陽電池のための極薄基板上の表面不動態化の改善【JST・京大機械翻訳】

Improving surface passivation on very thin substrates for high efficiency silicon heterojunction solar cells

著者 (4件)： Balaji Pradeep (Solar Power Laboratory, Arizona State University, Tempe, AZ, 85284, USA) ,  Dauksher William J. (Solar Power Laboratory, Arizona State University, Tempe, AZ, 85284, USA) ,  Bowden Stuart G. (Solar Power Laboratory, Arizona State University, Tempe, AZ, 85284, USA) ,  Augusto Andre (Solar Power Laboratory, Arizona State University, Tempe, AZ, 85284, USA)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 216  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン太陽電池は,現在,理論効率限界から3%以下の絶対値である。高度不動態化接触構造は1fA/cm2に近い表面飽和電流密度を示した。堆積温度とシラン-水素希釈比を制御して,薄い固有水素化非晶質シリコン層を最適化した。薄いウエハを試験台として用いて表面不動態化に対する感度を増加させた。固有層を最適化することにより,厚さ40~180μmのテクスチャウエハ上の表面飽和電流密度を1.7fA/cm2から0.6fA/cm2に低減した。50μm以下のウエハ厚さを有するn型CZウエハ上に堆積されたp-i/c-Si/i-n構造で760mV以上の損傷開放電圧を達成した。さらに,40μm厚さのスタンドアロンウエハ上にスクリーン印刷シリコンヘテロ接合太陽電池を製造することにより,非常に薄いウエハを使用する可能性を実験的に示し,一方,20.48%の効率を達成した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  スクリーン印刷 ,  *ケイ素 ,  *不動態化 ,  シラン ,  水素化 ,  希釈 ,  絶対値 ,  アモルファスシリコン
準シソーラス用語： *高効率 ,  開回路電圧 ,  シリコン太陽電池 ,  *表面不動態化 ,  *ヘテロ接合太陽電池 ,  飽和電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： シリコン ,  薄いPVセル ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  表面不動態化 ,  開路電圧 ,  飽和電流密度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高効率 ,  シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  極 ,  表面不動態化