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J-GLOBAL ID：202002256638919978   整理番号：20A0230068

シリコン上の垂直磁気異方性を持つジスプロシウム鉄ガーネット薄膜【JST・京大機械翻訳】

Dysprosium Iron Garnet Thin Films with Perpendicular Magnetic Anisotropy on Silicon

著者 (9件)： Bauer Jackson J. (Department of Materials Sciences and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Ave, 13-4017, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Rosenberg Ethan R. (Department of Materials Sciences and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Ave, 13-4017, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Kundu Subhajit (Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota - Twin Cities, 421 Washington, Ave. SE, Minneapolis, MN, 55455, USA) ,  Mkhoyan K. Andre (Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota - Twin Cities, 421 Washington, Ave. SE, Minneapolis, MN, 55455, USA) ,  Quarterman Patrick (NIST Center for Neutron Research, 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD, 20899, USA) ,  Grutter Alexander J. (NIST Center for Neutron Research, 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD, 20899, USA) ,  Kirby Brian J. (NIST Center for Neutron Research, 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD, 20899, USA) ,  Borchers Julie A. (NIST Center for Neutron Research, 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD, 20899, USA) ,  Ross Caroline A. (Department of Materials Sciences and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Ave, 13-4017, Cambridge, MA, 02139, USA)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 6  号： 1  ページ： e1900820  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希土類鉄ガーネットのような磁気絶縁体は,エネルギー効率の良いスピントロニクスメモリおよび論理素子の有望な材料であり,それらの異方性,磁化および他の特性は希土類イオンの選択を通して広い範囲にわたって調整できる。膜は典型的にはガーネット基板上のエピタキシャル単結晶として成長するが,これらの材料と従来の電子素子との集積はSi上での成長を必要とする。Si基板上に垂直磁気異方性(PMA)を有するジスプロシウム鉄ガーネット(DyIG)の多結晶膜の成長,磁気,およびスピン輸送特性を,ガーネット基板上の単結晶膜として報告した。PMAは磁気弾性異方性に起因し,格子不整合または基板との熱膨張不整合により膜の歪状態を制御することにより得られる。DyIG/Siは大きな結晶粒サイズとバルク状磁化と補償温度を示した。偏光中性子反射測定は基板近傍の小さな界面非磁性領域を示した。Pt/DyIG/Siヘテロ構造で行ったスピンHall磁気抵抗測定は,他のガーネット/Ptヘテロ構造に匹敵するPtとDyIG間の大きな界面スピン混合コンダクタンスを示した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 多結晶 ,  界面 ,  *ざくろ石 ,  白金 ,  *薄膜 ,  *ケイ素 ,  コンダクタンス ,  *磁気 ,  単結晶 ,  *ジスプロシウム ,  スピントロニクス ,  *垂直磁気異方性 ,  エピタクシー ,  *鉄 ,  磁化

著者キーワード (4件)： 磁気絶縁体 ,  酸化物 ,  シリコン ,  スピントロニクス

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  垂直磁気異方性 ,  ジスプロシウム ,  鉄 ,  ガーネット ,  薄膜