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J-GLOBAL ID：202002256723024166   整理番号：20A2579690

ZnO紫外光検出器の検出器電流を低減するための光化学蒸着による二酸化ケイ素の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of Silicon Dioxide by Photo-Chemical Vapor Deposition to Decrease Detector Current of ZnO Ultraviolet Photodetectors

著者 (4件)： Young Sheng-Joue (Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan) ,  Liu Yi-Hsing (Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Taiwan) ,  Chang Shoou-Jinn (Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Taiwan) ,  Chiu Chieh-Fei (Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Taiwan)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 5  号： 42  ページ： 27566-27571  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)ベースの半導体は紫外線光検出器(UV PD)の有望な応用である。ZnO UV PDの性能は,暗電流の低減と光電流の増加により,2つの配向で改善できる。本研究では,ZnO UV PDsを調製するために2つのプロセスを用いた:絶縁体層として二酸化ケイ素を作製するための光化学気相蒸着と,活性層としてZnO膜を調製するための高周波スパッタシステム。結果は,二酸化ケイ素層が暗電流を減らすことができることを示した。さらに,金属-絶縁体-半導体(MIS)構造化PDの大きな光-暗電流比は,金属-半導体-金属(MSM)構造化PDよりも200倍である。二酸化けい素の厚さが98nmのとき,排除率を著しく高めることができた。二酸化ケイ素層は雑音効果を低減し,デバイス検出性を強化することができる。これらの結果は,ZnO PDへの二酸化けい素層の挿入が実用化に潜在的に有用であることを示した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電流 ,  雑音 ,  *紫外線 ,  *電流 ,  半導体 ,  *光検出器 ,  *酸化亜鉛 ,  *二酸化ケイ素 ,  暗電流 ,  検出器 ,  RFスパッタリング ,  活性層 ,  光CVD ,  絶縁体
準シソーラス用語： 絶縁層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  紫外光 ,  検出器 ,  光化学蒸着 ,  二酸化ケイ素 ,  作製