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J-GLOBAL ID：202002256731716537   整理番号：20A0797021

その場エリプソメトリー研究による水素化非晶質炭素および窒素修飾炭素層の熱光学特性【JST・京大機械翻訳】

Thermo-optical properties of hydrogenated amorphous carbon and nitrogen-modified carbon layers from in situ ellipsometric studies

著者 (3件)： Jaglarz Janusz (Cracow University of Technology, Al. Jana Pawla II 37, 31-864 Krakow, Poland) ,  Dyndal Katarzyna (AGH University of Science and Technology, Al. Mickiewicza 30, 30-059 Krakow, Poland) ,  Tkacz-Smiech Katarzyna (Faculty of Materials Science and Ceramics, AGH University of Science and Technology, Al. Mickiewicza 30, 30-059 Krakow, Poland)
資料名： Journal of Materials Research and Technology  (Journal of Materials Research and Technology)
巻： 9  号： 2  ページ： 1698-1707  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3532A  ISSN： 2238-7854  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質炭素および窒素修飾炭素層,それぞれa-C:Hおよびa-C:N:Hをプラズマ支援化学蒸着により作製し,25~300°Cの温度範囲でエリプソメトリ測定を行った。結果は,層が準安定で,200°C以上で,それらは誘電体からより安定な半導体構造への変換を受けることを示した。それは,光学ギャップの急速な低下(a-C:N:Hに対して2.3eVから1.2eVへ,a-C:Hに対して2.4eVから1.8eVまで)と屈折率,n,および消光係数,kの増加によって確認された。変化は永続的であり,Fourier変換赤外スペクトルの研究から結果として水素/窒素放出が続いた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Fourier変換 ,  屈折率 ,  *光学的性質 ,  赤外スペクトル ,  半導体 ,  誘電体 ,  *水素 ,  *窒素 ,  *水素化 ,  *非晶質 ,  *偏光解析法 ,  プラズマCVD ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： *アモルファスカーボン ,  消光係数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： アモルファス材料 ,  塗料 ,  化学蒸着 ,  アニーリング ,  光学分光法

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： エリプソメトリー ,  研究 ,  水素化 ,  非晶質炭素 ,  窒素 ,  修飾 ,  炭素層 ,  光学特性