文献

J-GLOBAL ID：202002256761360007   整理番号：20A2767687

GOA地域におけるITOバイアホールの電気化学的腐食に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Research on Electrochemical Corrosion of ITO Via Hole in GOA Area

著者 (6件)： Chen Wei (BOE Optoelectronic Technology Co., Ltd,Product Integration Department,Beijing,P.R. China,100176) ,  Liu Hanqing (BOE Optoelectronic Technology Co., Ltd,Product Integration Department,Beijing,P.R. China,100176) ,  Li Xin (BOE Optoelectronic Technology Co., Ltd,Product Integration Department,Beijing,P.R. China,100176) ,  Song Yong (BOE Optoelectronic Technology Co., Ltd,Product Integration Department,Beijing,P.R. China,100176) ,  Yu Hongjun (BOE Optoelectronic Technology Co., Ltd,Product Integration Department,Beijing,P.R. China,100176) ,  Xue Hailin (BOE Optoelectronic Technology Co., Ltd,Product Integration Department,Beijing,P.R. China,100176)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IPFA  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,環境信頼性におけるGOA ITO Viaホールの電気化学的腐食の因子,例えばホール自体の負荷,水蒸気およびビア周辺の電場などに焦点を当てた。実験結果は,バイアの周りの電場が電気化学的腐食の程度を決定することを示した。負電圧ITOのまわりの電場が強ければ強いほど,腐食する可能性が高い。結果によれば,著者らは,環境信頼性における製品の損傷を避けるために,2つの最も近いITO間の距離と面積のような,その後のTFT-LCD製品におけるITOの配置分布のための戦略を提供することができた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電場 ,  信頼性 ,  *バイアホール
準シソーラス用語： TFT-LCD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 地域 ,  ITO ,  バイアホール ,  電気化学的腐食 ,  研究