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J-GLOBAL ID：202002256943382694   整理番号：20A0614158

PECVD法により堆積したGe_1_x-C_x:H膜の成長機構【JST・京大機械翻訳】

The growth mechanism of Ge_{1 - x}-C_x:H films deposited by PECVD method

著者 (4件)： Jamali H. (Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, Iran) ,  Mozafarinia R. (Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, Iran) ,  Sousani F. (Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, Iran) ,  Eshaghi A. (Department of Materials Engineering, Malek Ashtar University of Technology, Iran)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 103  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究において,Ge_1_x-C_x:H膜を,前駆体としてGeH_4とCH_4のガス混合物を用いて,プラズマ増強化学蒸着(PECVD)プロセスによって,シリコンとガラス基板上に蒸着した。膜を特性化するために,電界放出走査電子顕微鏡(FESEM),原子間力顕微鏡(AFM),Rutherford後方散乱分光法,弾性反跳検出分析,および接着試験を用いた。その結果に基づいて,PECVDプロセスによるGe_1_x-C_x:H膜の成長機構を,1)表面Hの除去とダングリングボンドの形成,2)ダングリングボンドへのゲルマニウムとメタンラジカルの挿入,3)原子間Hの除去とGeGe,CCとGeC横結合の形成,を含む3つの別々のステップとして示唆した。成長環境において,ラジカルXH_3(X=Ge,C)が支配的ラジカルであり,二次元成長が起こる。一方,種々のラジカル種(XH_3,XH_2,XH)の存在は好ましい三次元成長をもたらす。CH_4:GeH_4流量比の増加に伴い,Hイオンによる表面均質化機構はより一般的になり,その結果,三次元成長は二次元成長に向かう傾向があった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  混合気体 ,  前駆体 ,  Rutherford散乱分光法 ,  *プラズマCVD ,  ダングリングボンド ,  陽子 ,  均質化 ,  三次元 ,  原子間力顕微鏡 ,  接着試験 ,  ゲルマニウム ,  ケイ素 ,  ラジカル ,  アルカン

著者キーワード (3件)： Ge_1_x-C_x:H膜 ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  成長機構

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (3件)： PECVD ,  堆積 ,  成長