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J-GLOBAL ID：202002256950656509   整理番号：20A2710163

絶縁体-金属および金属-絶縁体転移中のパーコレーションしきい値のブリンク上のスパッタ高品質VO_2薄膜における導電性クラスタのトポロジー【JST・京大機械翻訳】

Topology of conductive clusters in sputtered high-quality VO₂ thin films on the brink of percolation threshold during insulator-to-metal and metal-to-insulator transitions

著者 (7件)： Koughia Cyril (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9, Canada) ,  Gunes Ozan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9, Canada) ,  Zhang Chunzi (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9, Canada) ,  Wen Shi-Jie (Cisco Systems, Inc., 170 West Tasman Drive, San Jose, California 95134) ,  Wong Rick (Cisco Systems, Inc., 170 West Tasman Drive, San Jose, California 95134) ,  Yang Qiaoqin (Department of Mechanical Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9, Canada) ,  Kasap Safa O. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan S7N 5A9, Canada)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 38  号： 6  ページ： 063401-063401-12  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： rカットサファイア基板(650°Cで)上にDC反応性マグネトロンスパッタリングにより堆積した高品質VO_2薄膜の電気伝導率(σ)と光透過率を,相転移領域を通して加熱と冷却走査によって温度の関数として同時に測定した。金属相(X_m)の部分濃度を,光透過率から計算し,σ(X_m)依存性を,加熱中の絶縁体-金属転移(IMT)および冷却中の金属-絶縁体転移(MIT)を通して解析した。結果は,Efros-Shklovskiiパーコレーション理論と一致し,IMT中の二次元無限伝導クラスタ(ICC)の形成およびMIT中の三次元ICCの保存を予測した。IMTでのICCの出現に対応する臨界濃度(X_c)およびMITでのICCの消失は,それぞれ,非常に異なる,0.57および0.06であった。MITで非常に小さいX_cを説明する数学モデルを開発した。IMTとMITの間のICCトポロジーの非類似性は,VO_2相転移に内在する局所機械的応力の出現と消失と関連している。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *位相幾何学 ,  相転移 ,  電気伝導率 ,  *薄膜 ,  数学モデル ,  *クラスタ ,  二次元 ,  *金属-絶縁体転移 ,  三次元 ,  *導電性 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： *高品質 ,  光透過率 ,  パーコレーション理論 ,  *パーコレーション閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： 絶縁体 ,  金属-絶縁体転移 ,  パーコレーション ,  しきい値 ,  スパッタ ,  高品質 ,  薄膜 ,  導電性 ,  クラスタ ,  トポロジー