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J-GLOBAL ID：202002257014391593   整理番号：20A1277253

スパッタリング堆積プロセス中の酸素分圧により制御されたHf_0.5Zr_0.5O_2薄膜を用いた強誘電体電界効果トランジスタのシナプス動作の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvements in the synaptic operations of ferroelectric field-effect transistors using Hf_0.5Zr_0.5O₂ thin films controlled by oxygen partial pressures during the sputtering deposition process

著者 (5件)： Min Dae-Hong (Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi-do 17104, Korea. [e-mail]) ,  Ryu Tae-Hyun ,  Yoon So-Jung ,  Moon Seung-Eon ,  Yoon Sung-Min
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 21  ページ： 7120-7131  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体Hf_xZr_1-xO_2(HZO)薄膜の分極スイッチング特性を制御するために,HZOのスパッタリング堆積の間の酸素分圧(P_O)の効果と金属-ferroelectric-金属-絶縁体-半導体(MFMIS)ゲートスタックの面積比(S_I/S_F)を強誘電体シナプストランジスタのために研究した。P_Oの増加は,酸素空孔のHZO膜への補償により,強誘電斜方晶相の相対的減少をもたらした。より小さいS_I/S_F比を有するMFMISゲートスタックの導入は,HZOゲート絶縁体を横切って適用された電場を効果的に減少させた。HZO薄膜に対する分極スイッチング時間は,これら二つの戦略により広い範囲で変調でき,HZOゲート絶縁体を用いた強誘電体電界効果トランジスタ(FeFET)のシナプス動作を容易にすることが明らかになった。パルス促進とスパイクタイミング依存可塑性を含む典型的なシナプス操作は,スパイク信号の進展によるFeFETのチャネルコンダクタンスの漸進的変調を示し,これらの挙動は,提案したシナプスFeFETにおけるHZOゲート絶縁体の強誘電偏極のスイッチング動力学を制御することにより,P_Oの増加とS_I/S_F比の減少により強化された。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強誘電体 ,  電場 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  *シナプス ,  パルス ,  斜方晶系 ,  薄膜成長 ,  *スパッタ蒸着 ,  分極反転 ,  コンダクタンス ,  ゲート絶縁膜 ,  絶縁体
準シソーラス用語： *酸素分圧 ,  ゲートスタック ,  酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタリング堆積 ,  プロセス ,  酸素分圧 ,  薄膜 ,  強誘電体電界効果トランジスタ ,  シナプス