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J-GLOBAL ID：202002257293592296   整理番号：20A0707299

560Tまでの磁場中の単層エピタキシャルグラフェンにおける量子限界サイクロトロン共鳴 相対論的電子および正孔非対称性【JST・京大機械翻訳】

Quantum limit cyclotron resonance in monolayer epitaxial graphene in magnetic fields up to 560 T: The relativistic electron and hole asymmetry

著者 (5件)： Nakamura Daisuke (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Saito Hiroaki (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Hibino Hiroki ( NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan and School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Sanda, Hyogo 669-1337, Japan) ,  Asano Kenichi ( Center for Education in Liberal Arts and Sciences, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-0043, Japan) ,  Takeyama Shojiro (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 101  号： 11  ページ： 115420  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単分子層エピタキシャルグラフェンにおける超高磁場サイクロトロン共鳴は,電磁フラックス圧縮1000-Tクラスのメガaga発生器により発生する磁場の300~500Tにおける分裂ピークを解決する。観測されたピーク分裂は,グラフェン中のDirac相対論的電子の電子-正孔対称性破れの証拠である。さらに,分裂ピーク間の吸収強度の観測された非対称性は,電子-電子相関によって誘起されたモード斥力の強い指標である。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *グラフェン ,  *非対称性 ,  *サイクロトロン共鳴 ,  強磁場 ,  単分子層 ,  電子相関 ,  *正孔 ,  単一層 ,  *磁場 ,  対称性の破れ ,  斥力
準シソーラス用語： 再生器 ,  相対論的電子 ,  *エピタキシャルグラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (8件)： 磁場 ,  単層 ,  エピタキシャルグラフェン ,  量子限界 ,  サイクロトロン共鳴 ,  相対論的電子 ,  正孔 ,  非対称性