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J-GLOBAL ID：202002257379974130   整理番号：20A2443987

アナログ/RF応用のための5nmノードFinFETとナノシートFETのデバイス設計指針【JST・京大機械翻訳】

Device Design Guideline of 5-nm-Node FinFETs and Nanosheet FETs for Analog/RF Applications

著者 (2件)： Yoon Jun-Sik (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, South Korea) ,  Baek Rock-Hyun (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, South Korea)
資料名： IEEE Access  (IEEE Access)
巻： 8  ページ： 189395-189403  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2422A  ISSN： 2169-3536  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 5nmノードバルクフィン形電界効果トランジスタ(FinFET)とナノシートFET(NSFET)のアナログ/RF性能を調べ,完全較正TCADを用いて徹底的に比較した。NSFETは,同じフットプリントの下でFinFETよりも大きな電流駆動性とゲート対チャネル制御性を持ち,より大きな固有利得を達成した。しかし,FinFETsとNSFETsのカットオフ周波数(F_t)は,DC性能の改善を補償するNSFETのより大きなゲートキャパシタンス(C_gg)により比較できる。NSFETのゲート抵抗(R_g)は,チャネル周囲の金属ゲート(MG)構成,最上NS間隔領域による長いMG高さ,およびボトムトランジスタにより大きく,従って最大振動周波数(F_max)を劣化させる。また,FinFETとNSFETのデバイス設計指針を,より良い固有利得,F_t,およびF_maxに対して研究した。固有利得は,より良い静電気により改善されたが,F_tは,C_gg以上でより大きな電流駆動性によって増加した。大きなF_maxでは,R_g,C_gg,出力抵抗,およびF_tを補償するために注意深いデバイス設計が必要である。全体として,NSFETは固有利得,F_t,およびF_maxに関してFinFETを凌駕し,従ってNSFETはアナログ/RF応用に有望である。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 静電気 ,  トランジスタ ,  可制御性 ,  FET【トランジスタ】 ,  アナログ系 ,  振動数 ,  利得 ,  遮断周波数 ,  チャネル ,  *ナノシート
準シソーラス用語： *FinFET ,  メタルゲート ,  TCAD ,  電流駆動 ,  デバイス設計 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： アナログ ,  RF ,  応用 ,  ノード ,  FinFET ,  ナノシート ,  FET ,  設計指針