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J-GLOBAL ID：202002257781207117   整理番号：20A0425953

ヘテロ接合n-MoO_x/p-Cd_3In_2Te_6の電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Electrical Properties of Heterojunction n-MoO_x/p-Cd₃In₂Te₆

著者 (6件)： Koziarskyi I. P. (Department of Physics of Semiconductors and Nanostructures, Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Chernivtsi, Ukraine) ,  Maistruk E. V. (Department of Electronics and Power Engineering, Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Chernivtsi, Ukraine) ,  Koziarskyi D. P. (Department of Electronics and Power Engineering, Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Chernivtsi, Ukraine) ,  Mostovyi A. I. (Department of Electronics and Power Engineering, Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Chernivtsi, Ukraine) ,  Sydor O. M. (Department of Layered Crystals, Frantsevich Institute for Problems of Materials Science, (Chernivtsi Department), Chernivtsi, Ukraine) ,  Potsiluiko-Hryhoriak H. V. (Automatisation, Publishing and Polygraphy, Electrical Engineering Division, Chernivtsi Industrial College, Chernivtsi, Ukraine)
資料名： Springer Proceedings in Physics  (Springer Proceedings in Physics)
巻： 240  ページ： 9-17  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5066A  ISSN： 0930-8989  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ構造n-MoO_x/P-CD_3In_2Te_6を,反応性マグネトロンスパッタリングの方法によって,Cd_3In_2Te_6基板(p型)上に薄膜MoO_x(n型)をスパッタリングすることによって製造した。構造のI-V特性を288~373Kの温度範囲で調べた。それらが矯正特性を有することを確立した。ポテンシャル障壁φ_0の高さは0.34から0.09eVに変化し,整流比RRは温度の上昇とともに900から16に変化した。直接介在物の下での電流移動機構の研究は,電流移動の発生と再結合過程が支配的であり,逆介在物では,ポテンシャル障壁を通る電荷キャリアの輸送のトンネリング機構が支配的であることを示した。Copyright Springer Nature Singapore Pte Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  再結合 ,  *ヘテロ接合 ,  トンネル効果 ,  ポテンシャル障壁 ,  電流 ,  *電気的性質 ,  介在物 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  移動機構 ,  整流比 ,  温度範囲 ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (2件)： ヘテロ接合 ,  電気的性質