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J-GLOBAL ID：202002257937054764   整理番号：20A2622857

DREMとラッピングを用いたCMUT素子の電気絶縁【JST・京大機械翻訳】

Electrical Insulation of CMUT Elements Using DREM and Lapping

著者 (3件)： Grue Stine Lovholt (Technical University of Denmark,Department of Health Technology,DK-2800 Kgs., Lyngby,Denmark) ,  Engholm Mathias (Technical University of Denmark,Department of Health Technology,DK-2800 Kgs., Lyngby,Denmark) ,  Thomsen Erik Vilain (Technical University of Denmark,Department of Health Technology,DK-2800 Kgs., Lyngby,Denmark)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IUS  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,容量マイクロマシン超音波変換器(CMUT)を腹腔鏡に実装する新しい製造プロセスを示した。腹腔鏡の限られた空間のため,変換器要素を電気的に接触させる新しい方法が必要である。Deposition,Remove,Etch,多段(DREM)と呼ばれる最先端の高アスペクト比ドライエッチングプロセスを用いて,ボトム電極を分離でき,通常の接地トップ電極を用いて,デバイスの背面接触を可能にし,ワイヤボンドと外部電磁干渉遮蔽の使用を軽減し,それによりフットプリントを低減した。6.7μm幅で約143μm深さのDREMトレンチを基板にエッチングした。溝は,高均一性ポリシリコン層の堆積によりプラグされる前に,熱的に成長した乾燥酸化物を用いて絶縁される。構造の最終化のため,過剰な基板は溝の底に達するまでウエハの背面から除去され,元素は完全に分離される。これは,表面粗さを低減するために,ラッピングとそれに続く研磨を用いて行った。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 変換器 ,  *ラッピング ,  酸化物 ,  接地 ,  超音波変換器 ,  社債 ,  プラグ ,  電磁干渉 ,  金属線 ,  生産工程 ,  腹腔鏡 ,  マイクロマシン
準シソーラス用語： フットプリント ,  高アスペクト比 ,  CMUT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： ラッピング ,  CMUT ,  電気絶縁