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J-GLOBAL ID：202002258501947131   整理番号：20A2457951

MOCVDにより成長させたAlGaAsの電気的性質に及ぼす意図しない炭素取り込みの影響【JST・京大機械翻訳】

The effect of unintentional carbon incorporation on the electrical properties of AlGaAs grown by MOCVD

著者 (6件)： He Zhifang (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Wang Haizhu (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Wang Quhui (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Fan Jie (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Zou Yonggang (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Ma Xiaohui (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 108  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広い応用半導体材料としてのAl_xGa_1-xAsの材料は多くの注目を集めている。しかし,意図しないドーピングは材料特性の影響の未解決の問題であり,常に広く懸念されている。本論文では,MOCVDにより成長させたAl_xGa_1-xAsの電気的性質に及ぼす意図しない炭素取り込みの影響を調べた。n型Al_xGa_1-xAsの意図的にドープした炭素は,シート抵抗の緩和に重要な役割を果たすことが分かった。これは意図的にドープしたSi原子と意図的にドープした炭素原子の再結合によって説明できた。炭素取り込みは成長温度に強く依存し,意図しない不純物炭素の含有量はp/nクロスオーバーに影響した。一方,Al_xGa_1-xAsの伝導型変換機構を分析した。結果は,Al_xGa_1-xAsへの意図しない炭素の導入で,さらに,また,MOCVD成長プロセスの根底にある化学機構への洞察を導くために,さらに,近視を取り入れることができた。。”結論]は,非意図的な炭素をAl_xGa_1-xAsに取り込むこと,および,MOCVD成長プロセスの根底にある化学的メカニズムへの洞察を導くことを可能にした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再結合 ,  電気伝導率 ,  不純物 ,  *電気的性質 ,  *炭素 ,  半導体材料 ,  ドーピング ,  反応機構 ,  近視 ,  *MOCVD ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  シート抵抗
準シソーラス用語： クロスオーバー ,  材料特性 ,  原子状炭素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Al_xGa_1-xAs ,  意図しない炭素の取り込み ,  MOCVD ,  電気伝導率

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOCVD ,  成長 ,  AlGaAs ,  電気的性質 ,  意図 ,  炭素 ,  取り込み