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J-GLOBAL ID：202002258930676176   整理番号：20A1070538

シリコン貫通ビアの形成に関するチュートリアル【JST・京大機械翻訳】

Tutorial on forming through-silicon vias

著者 (5件)： Burkett Susan L. (Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Alabama, P. O. Box 872086, Tuscaloosa, Alabama 35487) ,  Jordan Matthew B. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185) ,  Schmitt Rebecca P. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185) ,  Menk Lyle A. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185) ,  Hollowell Andrew E. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 38  号： 3  ページ： 031202-031202-15  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンビア(TSV)は三次元集積回路技術のための重要な技術である。これらの基板間相互接続は,広い範囲の応用と性能改善,例えば帯域幅の増加,信号遅延の低減,電力管理の改善,およびより小さい形状因子のために,電子デバイスを垂直に積み重ねることを可能にする。TSVの成功した統合に関与する多くの相互依存処理ステップがある。本論文では,TSVを形成するために一般的に使用されている半導体製造プロセス段階,すなわち絶縁,バリアおよびシード層を形成するためのシリコンの深いエッチング,導電性金属に対する銅の電気めっき,およびTSVを明らかにするためのウエハ薄化を提供した。銅の電気化学的析出における最近の研究を強調し,電解質中の加速器と抑制剤添加物の効果を分析し,整合的にライニングした種子金属からボイドのないボトムアップ充填を可能にした。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 加速器 ,  *ケイ素 ,  銅 ,  電気めっき ,  相互接続 ,  形状因子 ,  電解質 ,  電力管理 ,  帯域幅 ,  抑制剤 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： シード層 ,  ボトムアップ ,  *シリコン貫通ビア ,  三次元集積回路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン貫通ビア ,  チュートリアル