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J-GLOBAL ID:202002258999957716   整理番号:20A2579592

III-窒化物の原子層エピタクシー:ホモエピタキシャル成長の微視的モデル【JST・京大機械翻訳】

Atomic Layer Epitaxy of III-Nitrides: A Microscopic Model of Homoepitaxial Growth
著者 (2件):
資料名:
巻: 12  号: 43  ページ: 49245-49251  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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原子層エピタクシーによるAlN,GaNおよびInN膜成長の微視的理論モデルを開発した。このモデルを現実的にするために,プラズマ支援原子層エピタキシーで一般的に使用される水素プラズマにより生成される原子水素を考慮した。この成長技術は,窒素とグループIIIカチオンの別々の堆積段階に依存する。著者らのモデルは,窒素の完全な単分子層が形成される後に起こるプロセス,すなわち,堆積,吸着,表面拡散,島核形成,およびグループIIIカチオンの島成長を扱っている。著者らのモデルに従って,3つの窒化物は,標準および定性的に類似した方法で成長し,短い核形成相の間,適度な引力相互作用は,ほんの少しの原子から成る安定な島核をもたらす。これらは,臨界島サイズのみに依存する,予想される普遍的なスケーリング関係に従う,ほぼ一定の島密度および島サイズ分布で位置して成長する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  発光素子 
タイトルに関連する用語 (5件):
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