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J-GLOBAL ID：202002259076520129   整理番号：20A0802671

Hf系MONOS構造におけるHfO₂ブロック層の結晶性に関する検討

Investigation of crystallinity for HfO₂ blocking layer in Hf-based MONOS structure

著者 (5件)： 森田大貴 (東京工大) ,  堀内勇介 (東京工大) ,  表柱栄 (東京工大) ,  大見俊一郎 (東京工大) ,  小野行徳 (静岡大 電子工研)
資料名： 生体医歯工学共同研究拠点成果報告会
巻： 2019  ページ： 81  発行年： 2020年 
JST資料番号： F2283A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.研究目的.近年のポータブル情報通信機器の発達に伴い、不揮発性メモリの高速化、高集積化、低消費電力化への要求が増大している。そのため、多値動作化による高集積化が可能なMetal/Oxide/Nitride/Oxide/Si(MONOS)構...【本文一部表示】

シソーラス用語： *素子構造 ,  *酸化ハフニウム ,  結晶度 ,  *層 ,  不揮発性メモリ ,  ECRプラズマ ,  スパッタ蒸着
準シソーラス用語： HfO2 ,  *MONOS構造 ,  スパッタリング堆積 ,  *二酸化ハフニウム ,  結晶性 ,  *電子ブロック層 ,  不揮発性記憶

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： HF ,  MONOS構造 ,  HfO2 ,  結晶性