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J-GLOBAL ID：202002259328017928   整理番号：20A1789825

高感度光検出応用のためのMAPbBr_3単結晶p-nフォトダイオードとn-p-n光トリオードの作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of MAPbBr₃ Single Crystal p-n Photodiode and n-p-n Phototriode for Sensitive Light Detection Application

著者 (8件)： Liang Feng-Xia (School of Materials Science and Engineering and Anhui Provincial Key Laboratory of Advanced Functional Materials and Devices, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Jiang Jing-Jing (School of Materials Science and Engineering and Anhui Provincial Key Laboratory of Advanced Functional Materials and Devices, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Zhao Yao-Zu (School of Materials Science and Engineering and Anhui Provincial Key Laboratory of Advanced Functional Materials and Devices, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Zhang Zhi-Xiang (School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China) ,  Wu Di (School of Physics and Microelectronics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, China) ,  Zeng Long-Hui (Department of Applied Physics and Materials Research Center, The Hong Kong Polytechnic University, Kowloon, Hung Hom, Hong Kong, 99077, China) ,  Tsang Yuen Hong (Department of Applied Physics and Materials Research Center, The Hong Kong Polytechnic University, Kowloon, Hung Hom, Hong Kong, 99077, China) ,  Luo Lin-Bao (School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei, 230009, China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 30  号： 32  ページ： e2001033  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,MAPbBr_3単結晶(MSC)p-nペロブスカイトホモ接合フォトダイオードとn-p-nフォトトリオドを,溶液中のBi3+イオンの制御された取り込みによって首尾よく作製した。光電子分析は,フォトダイオードが典型的な光起電力挙動を示し,n型MSCを0.3%Bi3+供給溶液中で成長させたとき,最良の光起電力性能を達成できることを明らかにした。組み立てられたp-nMSC光起電力検出器は,520nm照射に対して明らかな感度を示し,0.62AW-1までの高い応答性と2.16×1012Jonesの比検出性を示し,これは以前に報告されているMSC光検出器のそれらを上回る。更なる性能最適化は,同じ成長法を用いてn-p-nフォトトリドを構築することによって実現できる。調製したままのn-p-nフォトトリドの光電流拡大率は2.9×103の最大値に達することができる。一方,14.47AW-1の高い応答性,4.67×1013Jonesの比検出性,および3.46×103までの外部量子効率が,8Vのエミッタ-コレクタバイアスの下で達成された。これらの結果は,現在のp-nとn-p-nMSCホモ接合が有望なデバイス構成であり,将来のオプトエレクトロニクスデバイスとシステムへの応用が期待される。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光起電力 ,  光電流 ,  *単結晶 ,  光検出器 ,  *フォトダイオード ,  応答特性 ,  検出器 ,  *光検出 ,  高感度 ,  光電子
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  トライオード ,  性能最適化 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： オプトエレクトロニクスデバイス ,  ペロブスカイトホモ接合 ,  フォトダイオード光トライオード ,  単結晶

分類 (5件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高感度 ,  光検出 ,  応用 ,  単結晶 ,  フォトダイオード ,  トリオード ,  作製