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J-GLOBAL ID：202002259391855001   整理番号：20A2693532

FP-LAPW法による窒化ガリウム半導体の構造的,電子的および光学的性質【JST・京大機械翻訳】

Structural, electronic, and optical properties of the gallium nitride semiconductor by means of the FP-LAPW method

著者 (7件)： Gasmi F. Z. (Radiation Physics Laboratory, Department of Physics, Faculty of Sciences, Badji Mokhtar University, Annaba, Algeria) ,  Gasmi F. Z. (Research Center in Industrial Technologies, CRTI, Algiers, Algeria) ,  Chemam R. (Radiation Physics Laboratory, Department of Physics, Faculty of Sciences, Badji Mokhtar University, Annaba, Algeria) ,  Graine R. (Radiation Physics Laboratory, Department of Physics, Faculty of Sciences, Badji Mokhtar University, Annaba, Algeria) ,  Graine R. (Research Center in Industrial Technologies, CRTI, Algiers, Algeria) ,  Boubir B. (Research Center in Industrial Technologies, CRTI, Algiers, Algeria) ,  Meradji H. (Radiation Physics Laboratory, Department of Physics, Faculty of Sciences, Badji Mokhtar University, Annaba, Algeria)
資料名： Journal of Molecular Modeling  (Journal of Molecular Modeling)
巻： 26  号： 12  ページ： 356  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4628A  ISSN： 1610-2940  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,窒化ガリウム(GaN)の異なる相の構造,電子,および線形光学特性を調べた。GaNの閃亜鉛鉱相とウルツ鉱型相をフルポテンシャル線形化増強平面波法(FP-LAPW)を用いて研究した。本研究では,局所密度近似(LDA),一般化勾配近似(GGA),EngelおよびVosko一般化勾配近似(EV-GGA)および修正Becke-Johnson(mBJ)ポテンシャル交換のような多くの近似を用いた。その結果,mBJ近似を用いたエネルギーバンドギャップに対する文献実験結果と非常に良く一致し,閃亜鉛鉱とウルツ鉱相に対して,それぞれ98%と80%のスケーリング因子を有することが分かった。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光学的性質 ,  *半導体 ,  近似法 ,  閃亜鉛鉱 ,  平面波 ,  状態密度 ,  *窒化ガリウム ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 局所密度近似 ,  線形化 ,  *FPLAPW法 ,  一般化勾配近似 ,  *LAPW ,  線形光学 ,  ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 窒化ガリウム ,  バンドギャップ ,  状態密度 ,  mBJ ,  GGA ,  FP-LAPW ,  Wien2k

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： FP-LAPW法 ,  窒化ガリウム ,  電子 ,  光学的性質