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J-GLOBAL ID：202002259584243379   整理番号：20A2261932

MFMキャパシタから二層積層GAAポリSi NW FE-FETへの内部金属ゲートナノドットの影響の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of the Impact of Internal Metal Gate - From MFM Capacitors to Two-Layer-Stacked GAA Poly-Si NW FE-FETs

著者 (8件)： Lee Shen-Yang (National Chaio Tung University,Department of Electrophysics) ,  Chen Han-Wei (National Chaio Tung University,Department of Electrophysics) ,  Chung Chun-Chih (National Chaio Tung University,Department of Electrophysics) ,  Shen Chiuan-Huei (National Chaio Tung University,Department of Electrophysics) ,  Kuo Po-Yi (Feng Chia University,Department of Electronic Engineering,Taiwan) ,  Huang Yu-En (National Chaio Tung University,Department of Electrophysics) ,  Chen Hsin-Yu (National Chaio Tung University,Department of Electrophysics) ,  Chao Tien-Sheng (National Chaio Tung University,Department of Electrophysics)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： VLSI-TSA  ページ： 124-125  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,異なる掃引配列を有するHf_1-xZr_xO_2(HZO)を有する負容量(NC)関連強誘電性FET(FE-FET)に関する包括的研究を報告する。5.39nm2ポリシリコンナノワイヤ(NW)チャネルを有する平面キャパシタとゲート-All-Aラウンド(GAA)のデバイスを,詳細に比較した。700°CのPMAがMFMキャパシタに対して最良の強誘電性を示すという事実にもかかわらず,NW FE-FETの結果は,HZOの応力感受性結晶化により全く異なる。ZrO_2,シード層はPMAフリーでもHZOの結晶性を著しく改善できることを見出した。GAAのための内部金属ゲート(IMG)および/または2層積層チャネルは,性能を改善することを実証した。IMGとして挿入された窒化チタンは,I_Dの104で,43.85mV/decadeの優れたS.S._avgを得た。GAAのI_onは,積層チャネルによってさらに高められる。さらに,FEの双極子分極を用いて,異なる掃引配列を調べる結果を説明した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶化 ,  *コンデンサ ,  分極 ,  強誘電性 ,  感受性 ,  結晶度 ,  双極子 ,  チャネル ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  *ナノドット ,  シード層 ,  *メタルゲート ,  二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： キャパシタ ,  二層 ,  ポリSi ,  Fe ,  FET ,  金属ゲート ,  ナノドット ,  研究