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J-GLOBAL ID：202002259823624870   整理番号：20A0334372

InSeナノリボンの磁気電子特性,キャリア移動度および歪効果【JST・京大機械翻訳】

Magneto-electronic properties, carrier mobility and strain effects of InSe nanoribbon

著者 (4件)： Li Y H (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, People’s Republic of China) ,  Zhang Z H (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, People’s Republic of China) ,  Fan Z Q (Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, People’s Republic of China) ,  Zhou R L (School of Physics and Information Engineering, Guangdong University of Education, Guangzhou 510303, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 32  号： 1  ページ： 015303 (12pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単分子層InSeは最近成功裏に作製され,強く研究されている。ここでは,InSeナノリボンに対する電子的および磁気的特徴,キャリア移動度および歪効果などの幾何学的安定性および種々の物理的性質を調べた。著者らの計算によると,アームチェア型ナノリボンは間接バンドギャップを持つ半導体であるが,バンドギャップサイズはH飽和により大きく増加する。それらの電子移動度は,より広いリボンに対して可動性が低い正孔をもつ中程度に大きい(約10~2~10~3cm~2V~-1s-1)と予測され,キャリア極性現象はH飽和に対してより顕著になる。ジグザグInSeナノリボンは,磁気モーメントが大きく,単一エッジで強磁性基底状態をもつ磁性金属であることが分かった。磁性は,Inリッチ端における不対電子から生じた。より興味深いことに,外部印加機械歪は,Fermi準位でのスピン分極効率を2段階に効果的に調整でき,歪が低バイアス下でのスピン分極輸送を制御するための機械的スイッチを開発するためのツールとして作用できることが分かった。詳細な解析により,この歪調整機構は,歪誘起結合長変化に起因するイオン性及び共有結合配置競合に起因することが示唆され,これは磁気原子における不対電子再分布又は消失をもたらす。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁気 ,  磁気モーメント ,  半導体 ,  基底状態 ,  単分子層 ,  核間距離 ,  Fermi準位 ,  強磁性 ,  磁性 ,  正孔 ,  バンドギャップ ,  不対電子 ,  スピン分極 ,  *キャリア移動度 ,  共有結合

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： InSe ,  ナノリボン ,  磁気 ,  電子 ,  キャリア移動度 ,  歪効果