文献
J-GLOBAL ID:202002260407087790   整理番号:20A0763579

低損傷対向ターゲット型スパッタリング法により堆積した酸化インジウムすず上部電極膜を持つトップ発光有機発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Top-emission organic light emitting diode with indium tin oxide top-electrode films deposited by a low-damage facing-target type sputtering method
著者 (4件):
資料名:
巻: 698  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
有機層上に透明な酸化物電極膜を堆積するための低損傷面ターゲットスパッタリング(FTS)法の有効性を確認するために,酸化インジウムスズ(ITO)上部電極をFTSにより堆積し,上部発光有機発光ダイオード(OLED)を作製した。トップ及びボトム電極膜をFTSシステムを用いて堆積した。さらに,上部発光OLEDを逆積層構造で作製した。結果として,両OLEDは類似の動作特性を示し,上部発光OLEDは底部発光OLEDよりも良好な輝度効率を有した。蒸発法を用いて作製したOLEDと比較して,FTSを用いて作製したOLEDは,かなり高い動作電圧を有していたが,類似の輝度効率を示した。さらに,110°Cでのアニーリング処理は,動作電圧の著しい低下をもたらすことが観察された。さらに,得られたトップ発光OLEDは,蒸発法を用いて作製したOLEDと同様の動作特性を示した。これらの結果は,FTS法がOLEDの上部酸化物電極膜の堆積に有用であることを示している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
発光素子 

前のページに戻る