文献

J-GLOBAL ID：202002260486337237   整理番号：20A0856584

有効濃度プロファイル:横方向厚み(VLT)横方向パワーデバイスの変動の新しい1D解析【JST・京大機械翻訳】

Effective Concentration Profile: A Novel 1-D Analysis of the Variation of Lateral Thickness (VLT) Lateral Power Devices

著者 (4件)： Zhang Jun (College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Guo Yu-Feng (College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Huang Chen-Yang (College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Hu Fang-Ren (College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 8  ページ： 256-262  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VLT技術はドリフト領域の不規則な厚さを特徴とし,均一にドープされたドリフト領域でさえも表面電場を実現する。しかし,ドリフト領域の洗練された構造は,VLTの物理的性質のモデリングと説明の両方において二次元法を実行する。本論文では,効果的集中プロファイル(ECP)理論に基づいて,単純ではあるが効果的な一次元モデリング方法論を提案して,VLT技術に物理的洞察を提供した。VLT-ECPの概念によると,電荷分布線(CAL)を超える領域を物理的に除去することにより,電荷は横方向の空乏化に寄与し,表面電場さえもゼロになる。さらに,最適化基準を提案し,実際にVLT横方向パワーデバイスの設計のための有用な指針を提供した。提案したモデルとTCADシミュレーションによって得た解析結果の比較は,提案した方法論の真実性と有効性を検証した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷 ,  電場 ,  有効性 ,  シミュレーション ,  *濃度分布 ,  ドリフト ,  二次元 ,  ドーピング ,  電荷分布 ,  最適化 ,  *一次元
準シソーラス用語： TCAD ,  *パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 濃度プロファイル ,  横方向 ,  厚み ,  パワーデバイス ,  1D ,  解析