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J-GLOBAL ID：202002260594308779   整理番号：20A1640204

絶縁体上のフェロセン:SiO_2表面へのシラン結合および有機半導体層を有する埋め込み界面における電気輸送への影響【JST・京大機械翻訳】

Ferrocene on Insulator: Silane Coupling to a SiO₂ Surface and Influence on Electrical Transport at a Buried Interface with an Organic Semiconductor Layer

著者 (8件)： Ikeda Takashi (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan) ,  Tahara Keishiro (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan) ,  Kadoya Tomofumi (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan) ,  Tajima Hiroyuki (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan) ,  Toyoda Noriaki (Graduate School of Engineering, University of Hyogo, Hyogo, Japan) ,  Yasuno Satoshi (Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Hyogo, Japan) ,  Ozawa Yoshiki (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan) ,  Abe Masaaki (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 36  号： 21  ページ： 5809-5819  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レドックス活性自己集合単分子膜(SAMs)を構築することにより,豊富なヒドロキシ基を含む絶縁体表面の修飾のためのシランカップリングベース手順について述べた。FcSiと命名したトリエトキシシリル基を含む新しく合成したフェロセン(Fc)誘導体を,Fcシランカップリング試薬のトルエン溶液中に基質を浸漬し,次いで得られた基質を洗浄する簡単な操作によってSiO_2/Si上に固定した。X線光電子分光法(XPS)測定は,Fc基がFe-(II)状態でSiO_2/Si上に固定化されたことを確認した。サイクリックボルタンメトリー測定は,Fc基がSiO_2層によってSi電極から電気的に絶縁されることを示した。SiO_2/Si構造上のFcSiは,有機電界効果トランジスタ(OFET)材料としてよく知られている,C8-BTBT(2,7-ジオクチル[1]-ベンゾチエノ-[3,2-b]-[1]-ベンゾチオフェン)の真空熱蒸着による有機半導体薄膜の形成のための良好な足場として役立つことが分かった。X線回折プロフィルは,基板に垂直なC8-BTBT分子の従来の立ち上がり立体配座がFcSi@SiO_2/Si上に形成された薄膜中に維持されることを示した。さらに,Auの真空熱蒸着は,良好な移動特性を有するFcSiベースのOFET構造を提供した。FcSiベースのOFETは前方と後方走査の間に顕著なソース-ドレイン電流ヒステリシスを示した。このヒステリシスの程度はゲートバイアス操作により可逆的に変化し,これはおそらくFc修飾SiO_2表面での正孔キャリアのトラッピングと脱トラッピングを伴った。これらの知見から,レドックス活性SAMの不揮発性OFETメモリへの応用への新たな洞察が得られ,一方,機能的薄膜との接合を介して新しい界面を生成し,そこでは,基礎となるレドックス活性SAMが支持的役割を担っている。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *界面 ,  真空蒸着 ,  正孔 ,  薄膜 ,  *有機半導体 ,  立体配座 ,  金 ,  *ケイ素 ,  *シラン ,  *フェロセン ,  酸化還元反応 ,  ヒドロキシ基 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  アルキルベンゼン

分類 (1件)： 界面化学一般  (CB12010J)

物質索引 (1件)： トルエン

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁体 ,  フェロセン ,  シラン ,  半導体層 ,  埋め込み ,  界面 ,  電気輸送